IRL3103D 全國供應商、價格、PDF資料

IRL3103D1詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 30V 64A TO-220AB

系列：FETKY™

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：64A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14 毫歐 @ 34A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：43nC @ 4.5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：1900pF @ 25V

功率_最大：2W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-220-3

供應商設備封裝：TO-220AB

包裝：管件

IRL3103D1PBF詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 30V 64A TO-220AB

系列：FETKY™

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：64A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14 毫歐 @ 34A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：43nC @ 4.5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：1900pF @ 25V

功率_最大：2W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-220-3

供應商設備封裝：TO-220AB

包裝：管件

IRL3103D1S詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK

系列：FETKY™

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：64A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14 毫歐 @ 34A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：43nC @ 4.5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：1900pF @ 25V

功率_最大：3.1W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應商設備封裝：D2PAK

包裝：管件

IRL3103D1SPBF詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK-5

系列：FETKY™

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：64A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14 毫歐 @ 34A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：43nC @ 4.5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：1900pF @ 25V

功率_最大：3.1W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應商設備封裝：D2PAK

包裝：管件

IRL3103D1STRL詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK

系列：FETKY™

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：64A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14 毫歐 @ 34A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：43nC @ 4.5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：1900pF @ 25V

功率_最大：3.1W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應商設備封裝：D2PAK

包裝：帶卷 (TR)

IRL3103D1STRLP詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK

系列：FETKY™

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：64A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14 毫歐 @ 34A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：43nC @ 4.5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：1900pF @ 25V

功率_最大：3.1W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應商設備封裝：D2PAK

包裝：帶卷 (TR)

• EXB-D10C684J

  網絡、陣列    Panasonic Electronic Components    1206（3216 公制），凹陷    RES ARRAY 680K OHM 8 RES 1206

• CRCW25121R87FNEG

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Dale    2512（6432 公制）    RES 1.87 OHM 1W 1% 2512 SMD

• IRL2703S

  FET - 單    International Rectifier    TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB    MOSFET N-CH 30V 24A D2PAK

• IRF8513PBF

  FET - 陣列    International Rectifier    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET N-CH DUAL 30V 8-SOIC

• IRF7420TRPBF

  FET - 單    International Rectifier    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET P-CH 12V 11.5A 8-SOIC

• IHSM7832ER103L

  固定式    Vishay Dale    非標準    INDUCTOR POWER 10000UH .16A SMD

• IRL3103D1SPBF

  FET - 單    International Rectifier    TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB    MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK-5

• CRCW2512200KJNEG

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Dale    2512（6432 公制）    RES 200K OHM 1W 5% 2512 SMD

• EXB-D10C820J

  網絡、陣列    Panasonic Electronic Components    1206（3216 公制），凹陷    RES ARRAY 82 OHM 8 RES 1206

• IRF7424GTRPBF

  FET - 單    International Rectifier    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET P-CH 30V 11A 8-SOIC

• IHSM7832ER123L

  固定式    Vishay Dale    非標準    INDUCTOR POWER 12000UH .14A SMD

• IRF8788TRPBF

  FET - 單    International Rectifier    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET N-CH 30V 24A SO-8

• IRL3103L

  FET - 單    International Rectifier    TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA    MOSFET N-CH 30V 64A TO-262

• CRCW2512200RFKEGHP

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Dale    2512（6432 公制）    RES 200 OHM 1.5W 1% 2512 SMD

• EXB-D10C823J

  網絡、陣列    Panasonic Electronic Components    1206（3216 公制），凹陷    RES ARRAY 82K OHM 8 RES 1206