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IRL3716 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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IRL3716詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 20V 180A TO-220AB
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:20V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:180A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:4 毫歐 @ 90A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:79nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:5090pF @ 10V
功率_最大:210W
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-220-3
供應商設備封裝:TO-220AB
包裝:管件

IRL3716LPBF詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 20V 180A TO-262
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:20V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:180A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:4 毫歐 @ 90A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:79nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:5090pF @ 10V
功率_最大:210W
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-262-3,長引線,I²Pak,TO-262AA
供應商設備封裝:TO-262
包裝:管件

IRL3716PBF詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 20V 180A TO-220AB
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:20V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:180A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:4 毫歐 @ 90A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:79nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:5090pF @ 10V
功率_最大:210W
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-220-3
供應商設備封裝:TO-220AB
包裝:管件

IRL3716S詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 20V 180A D2PAK
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:20V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:180A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:4 毫歐 @ 90A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:79nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:5090pF @ 10V
功率_最大:210W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
供應商設備封裝:D2PAK
包裝:管件

IRL3716SPBF詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 20V 180A D2PAK
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:20V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:180A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:4 毫歐 @ 90A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:79nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:5090pF @ 10V
功率_最大:210W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
供應商設備封裝:D2PAK
包裝:管件

IRL3716STRLPBF詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 20V 180A D2PAK
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:20V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:180A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:4 毫歐 @ 90A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:79nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:5090pF @ 10V
功率_最大:210W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
供應商設備封裝:D2PAK
包裝:帶卷 (TR)

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