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IRL3803STRL詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 140A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：140A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6 毫歐 @ 71A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：140nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：5000pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

IRL3803STRLPBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 140A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：140A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6 毫歐 @ 71A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：140nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：5000pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：D2PAK; 包裝：Digi-Reel®

IRL3803STRLPBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 140A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：140A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6 毫歐 @ 71A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：140nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：5000pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：D2PAK; 包裝：剪切帶 (CT)

IRL3803STRLPBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 140A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：140A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6 毫歐 @ 71A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：140nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：5000pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

IRL3803STRR詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 140A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：140A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6 毫歐 @ 71A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：140nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：5000pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

IRL3803STRRPBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 140A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：140A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6 毫歐 @ 71A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：140nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：5000pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

GRM2166T1H241JD15D
陶瓷 Murata Electronics North America 0805（2012 公制） CAP CER 240PF 50V 5% T2H 0805
HDNS-2200#001
配件 Avago Technologies US Inc. ACCY OPTICAL MOUSE CLIP SS CLEAR
HM17-895562LF
固定式 TT Electronics/BI 徑向 RADIAL LEAD INDUCTORS
IRL3803STRLPBF
FET - 單 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 30V 140A D2PAK
D38999/20FD97BC
圓形 - 外殼 TE Connectivity CONN HSG RCPT FLANGE 12POS SKT
K181J10C0GH5UH5
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 180PF 100V 5% RADIAL
GRM2166T1H270JD01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0805（2012 公制） CAP CER 27PF 50V 5% T2H 0805
HDO4024
示波器 Teledyne LeCroy DGTL OSCOPE 12BIT 200MHZ 4CH
ISC1210ER101K
固定式 Vishay Dale INDUCTOR WW 100UH 10% 1210
D38999/20FD97HB
連接器，互連器件 TE Connectivity CONN RCPT 12POS FLANGE W/PINS
K181J15C0GF53H5
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 180PF 50V 5% RADIAL
HDO4054
示波器 Teledyne LeCroy DGTL OSCOPE 12BIT 500MHZ 4CH
GRM2166T1H560JD01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0805（2012 公制） CAP CER 56PF 50V 5% T2H 0805
ISC1210ER15NK
固定式 Vishay Dale 1210（3225 公制） INDUCTOR WW 15NH 10% 1210
IRL520
FET - 單 Vishay Siliconix TO-220-3 MOSFET N-CH 100V 9.2A TO-220AB

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