IRL540N 全國供應商、價格、PDF資料

IRL540NL詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 100V 36A TO-262

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：100V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：36A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：44 毫歐 @ 18A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：74nC @ 5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：1800pF @ 25V

功率_最大：3.8W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA

供應商設備封裝：TO-262

包裝：管件

IRL540NLPBF詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 100V 36A TO-262

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：100V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：36A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：44 毫歐 @ 18A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：74nC @ 5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：1800pF @ 25V

功率_最大：3.8W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA

供應商設備封裝：TO-262

包裝：管件

IRL540NPBF詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 100V 36A TO-220AB

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：100V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：36A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：44 毫歐 @ 18A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：74nC @ 5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：1800pF @ 25V

功率_最大：140W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-220-3

供應商設備封裝：TO-220AB

包裝：管件

IRL540NSPBF詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：100V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：36A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：44 毫歐 @ 18A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：74nC @ 5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：1800pF @ 25V

功率_最大：3.8W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應商設備封裝：D2PAK

包裝：管件

IRL540NSTRL詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：100V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：36A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：44 毫歐 @ 18A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：74nC @ 5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：1800pF @ 25V

功率_最大：3.8W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應商設備封裝：D2PAK

包裝：剪切帶 (CT)

IRL540NSTRLPBF詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：100V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：36A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：44 毫歐 @ 18A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：74nC @ 5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：1800pF @ 25V

功率_最大：3.8W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應商設備封裝：D2PAK

包裝：Digi-Reel®

• IRF7468

  FET - 單    International Rectifier    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET N-CH 40V 9.4A 8-SOIC

• IRL540

  FET - 單    Vishay Siliconix    TO-220-3    MOSFET N-CH 100V 28A TO-220AB

• IRF9956TRPBF

  FET - 陣列    International Rectifier    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    HEX/MOS N-CH DUAL 30V 3.5V 8SOIC

• EXB-E10C223J

  網絡、陣列    Panasonic Electronic Components    1608（4021 公制），凹陷    RES ARRAY 22K OHM 8 RES 1608

• CRCW2512220RFKEG

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Dale    2512（6432 公制）    RES 220 OHM 1W 1% 2512 SMD

• IRL540NSPBF

  FET - 單    International Rectifier    TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB    MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK

• IRF9956TRPBF

  FET - 陣列    International Rectifier    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8-SOIC

• IRF7468TR

  FET - 單    International Rectifier    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET N-CH 40V 9.4A 8-SOIC

• IHSM7832RG150L

  固定式    Vishay Dale    非標準    INDUCTOR POWER 15UH 4.5A SMD

• EXB-E10C224J

  網絡、陣列    Panasonic Electronic Components    1608（4021 公制），凹陷    RES ARRAY 220K OHM 8 RES 1608

• CRCW2512220RJNEG

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Dale    2512（6432 公制）    RES 220 OHM 1W 5% 2512 SMD

• IRF9Z14STRL

  FET - 單    Vishay Siliconix    TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB    MOSFET P-CH 60V 6.7A D2PAK

• IRF7469

  FET - 單    International Rectifier    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET N-CH 40V 9A 8-SOIC

• IHSM7832RG270L

  固定式    Vishay Dale    非標準    INDUCTOR POWER 27UH 3.4A SMD

• IRL540S

  FET - 單    Vishay Siliconix    TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB    MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK