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IRL620詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 200V 5.2A TO-220AB; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：5.2A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：800 毫歐 @ 3.1A，5V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：16nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：360pF @ 25V; 功率_最大：50W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應商設備封裝：TO-220AB; 包裝：管件

IRL620PBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 200V 5.2A TO-220AB; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：5.2A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：800 毫歐 @ 3.1A，5V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：16nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：360pF @ 25V; 功率_最大：50W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應商設備封裝：TO-220AB; 包裝：管件

IRL620S詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：5.2A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：800 毫歐 @ 3.1A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：16nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：360pF @ 25V; 功率_最大：3.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：D2PAK; 包裝：管件

IRL620SPBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：5.2A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：800 毫歐 @ 3.1A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：16nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：360pF @ 25V; 功率_最大：3.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：D2PAK; 包裝：管件

IRL620STRL詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：5.2A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：800 毫歐 @ 3.1A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：16nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：360pF @ 25V; 功率_最大：3.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

IRL620STRLPBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：5.2A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：800 毫歐 @ 3.1A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：16nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：360pF @ 25V; 功率_最大：3.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

JG-72967
配件 Honeywell Sensing and Control 模塊 TOGGLE SW HDW
KIT 60109
配件 Digital View Inc KIT OSD BRD W/CBL ACG/AVP/SVP/SV
IRL620SPBF
FET - 單 Vishay Siliconix TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK
KJB0T13W35SN
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN RCPT 22POS WALL MNT W/SCKT
IMP1-3Q0-3W0-00-A
AC DC 轉換器 Emerson Network Power/Embedded Power IMP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
KMQ250VS561M25X35T2
電容器 United Chemi-Con 徑向，Can - 卡入式 CAP ALUM 560UF 250V 20% SNAP
KPT06E16-99PDN
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN PLUG 23POS W/PIN CABLE
KPT00E24-61S
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN RCPT 61POS WALL W/SKT
JG-72967
配件 Honeywell Sensing and Control 模塊 TOGGLE SW HDW
KMQ350VS181M22X30T2
電容器 United Chemi-Con 徑向，Can - 卡入式 CAP ALUM 180UF 350V 20% SNAP
KJB0T15F35PNL
圓形 - 外殼 ITT Cannon CONN HSG WALL MNT RCPT 37POS
IMP1-3Q-2Q-2U-30-A
AC DC 轉換器 Emerson Network Power/Embedded Power IMP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
KPT00E8-2PW
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN RCPT 2POS WALL MNT PIN
KPT06E16-99SZDZ
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN PLUG 23POS W/SKT CABLE
JG-72967
配件 Honeywell Sensing and Control 模塊 TOGGLE SW HDW

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