IRL640 全國供應商、價格、PDF資料

IRL640詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 200V 17A TO-220AB

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：200V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：17A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：180 毫歐 @ 10A，5V

Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：66nC @ 5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：1800pF @ 25V

功率_最大：125W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-220-3

供應商設備封裝：TO-220AB

包裝：管件

IRL640A詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 200V 18A TO-220

系列：-

制造商：Fairchild Semiconductor

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：200V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：18A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：180 毫歐 @ 9A，5V

Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：56nC @ 5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：1705pF @ 25V

功率_最大：110W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-220-3

供應商設備封裝：TO-220

包裝：管件

IRL640L詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 200V 17A TO-262

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：200V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：17A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：180 毫歐 @ 10A，5V

Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：66nC @ 5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：1800pF @ 25V

功率_最大：3.1W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA

供應商設備封裝：TO-262-3

包裝：管件

IRL640PBF詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 200V 17A TO-220AB

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：200V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：17A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：180 毫歐 @ 10A，5V

Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：66nC @ 5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：1800pF @ 25V

功率_最大：125W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-220-3

供應商設備封裝：TO-220AB

包裝：管件

IRL640S詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：200V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：17A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：180 毫歐 @ 10A，5V

Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：66nC @ 5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：1800pF @ 25V

功率_最大：3.1W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應商設備封裝：D2PAK

包裝：管件

IRL640SPBF詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：200V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：17A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：180 毫歐 @ 10A，5V

Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：66nC @ 5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：1800pF @ 25V

功率_最大：3.1W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應商設備封裝：D2PAK

包裝：管件

• ISL6539CAZ

  PMIC - 穩壓器 - 專用型    Intersil    28-SSOP（0.154"，3.90mm 寬）    IC CTRLR DDR DRAM, SDRAM 28QSOP

• HCPL-7560-560E

  專用型    Avago Technologies US Inc.    8-SMD，鷗翼型    OPTOCOUPLER MODULE IEC 8-SMD

• IRL6342PBF

  FET - 單    International Rectifier    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET N-CH 30V 9.9A 8SOIC

• ISD5102EYR

  接口 - 語音錄制和重放    Nuvoton Technology Corporation of America    28-TSSOP (0.465", 11.80mm 寬)    IC VOICE REC/PLAY 1-2MN 28-TSOP

• E3F3-T81M 2M

  近程    Omron Electronics Inc-IA Div    -    SENSOR PHOTO TB PNP 18M METAL

• E39-F32A5

  配件    Omron Electronics Inc-IA Div        TUBE FIBR PROTECTN ARMR FLEX .5M

• IRFU120Z

  FET - 單    International Rectifier    TO-251-3 長引線，IPak，TO-251AB    MOSFET N-CH 100V 8.7A I-PAK

• HCPL-7611-300E

  光隔離器 - 邏輯輸出    Avago Technologies US Inc.    8-SMD，鷗翼型    OPTOCOUPLER 10MBD 8-SMD GW

• ISL6539CAZ-T

  PMIC - 穩壓器 - 專用型    Intersil    28-SSOP（0.154"，3.90mm 寬）    IC CTRLR DDR DRAM, SDRAM 28QSOP

• ISD5102SYIR

  接口 - 語音錄制和重放    Nuvoton Technology Corporation of America    28-SOIC（0.295"，7.50mm 寬）    IC VOICE REC/PLAY 1-2MN 28-SOIC

• E3FAU

  連接器，互連器件    Switchcraft Inc.    -    CONN RCPT 3POS FEMALE GOLD SLD

• IRFU220NPBF

  FET - 單    International Rectifier    TO-251-3 長引線，IPak，TO-251AB    MOSFET N-CH 200V 5A I-PAK

• E39-F32B

  配件    Omron Electronics Inc-IA Div        TUBE FIBR PROTECTN ARMOR FLEX 1M

• HCPL-7710-500E

  光隔離器 - 邏輯輸出    Avago Technologies US Inc.    8-SMD，鷗翼型    OPTOCOUPLER 12MBD 8-SMD

• ISL6540ACRZ

  PMIC - 穩壓器 - DC DC 切換控制器    Intersil    28-VFQFN 裸露焊盤    IC REG CTRLR BUCK PWM VM 28-QFN