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IRL8113S詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 105A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：105A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6 毫歐 @ 21A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.25V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：35nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2840pF @ 15V; 功率_最大：110W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：D2PAK; 包裝：管件

IRL8113SPBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 105A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：105A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6 毫歐 @ 21A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.25V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：35nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2840pF @ 15V; 功率_最大：110W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：D2PAK; 包裝：管件

IRL8113STRL詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 105A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：105A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6 毫歐 @ 21A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.25V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：35nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2840pF @ 15V; 功率_最大：110W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

IRL8113STRLPBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 105A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：105A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6 毫歐 @ 21A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.25V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：35nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2840pF @ 15V; 功率_最大：110W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：D2PAK; 包裝：Digi-Reel®

IRL8113STRLPBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 105A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：105A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6 毫歐 @ 21A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.25V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：35nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2840pF @ 15V; 功率_最大：110W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

IRL8113STRLPBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 105A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：105A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6 毫歐 @ 21A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.25V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：35nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2840pF @ 15V; 功率_最大：110W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：D2PAK; 包裝：剪切帶 (CT)

IRFP460LC
FET - 單 Vishay Siliconix TO-247-3 MOSFET N-CH 500V 20A TO-247AC
E3Z-R81-G2SRW-P2
光學 - 反射式 - 邏輯輸出 Omron Electronics Inc-IA Div 模塊，預接線 SENSOR PHOTOELECTRIC 4M
IRF1405Z
FET - 單 International Rectifier TO-220-3 MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB
HM17-855100LF
固定式 TT Electronics/BI 徑向 RADIAL LEAD INDUCTORS
IRL7833SPBF
FET - 單 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 30V 150A D2PAK
E39-L42
配件 Omron Electronics Inc-IA Div L-BRACKET IRON FOR E3C-2
IRFZ34E
FET - 單 International Rectifier TO-220-3 MOSFET N-CH 60V 28A TO-220AB
ISL32172EFVZ-T
接口 - 驅動器，接收器，收發器 Intersil 16-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） IC XMITTER ESD RS422 LP 16-TSSOP
E3Z-R81K 2M
光學 - 反射式 - 邏輯輸出 Omron Electronics Inc-IA Div 模塊，預接線 SENSOR OPTO REFL 3M PREWIRED MOD
HM17-855152LF
固定式 TT Electronics/BI 徑向 RADIAL LEAD INDUCTORS
E39-L43
配件 Omron Electronics Inc-IA Div BRACKET HORIZ 20 DEG ANGL ADJUST
IRFZ34PBF
FET - 單 Vishay Siliconix TO-220-3 MOSFET N-CH 60V 30A TO-220AB
ISL32172EIVZ-T
接口 - 驅動器，接收器，收發器 Intersil 16-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） IC XMITTER ESD RS422 LP 16-TSSOP
E3Z-R86
光學 - 反射式 - 邏輯輸出 Omron Electronics Inc-IA Div 模塊，連接器 SENSOR PHOTOELECTR 100MM 4M CONN
IRF1407STRLPBF
FET - 單 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK

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