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IRLML2502GTRPBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT-23-3; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：4.2A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：45 毫歐 @ 4.2A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：740pF @ 15V; 功率_最大：1.25W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應商設備封裝：Micro3?/SOT-23; 包裝：剪切帶 (CT)

IRLML2502GTRPBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT-23-3; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：4.2A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：45 毫歐 @ 4.2A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：740pF @ 15V; 功率_最大：1.25W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應商設備封裝：Micro3?/SOT-23; 包裝：帶卷 (TR)

IRLML2502GTRPBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT-23-3; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：4.2A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：45 毫歐 @ 4.2A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：740pF @ 15V; 功率_最大：1.25W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應商設備封裝：Micro3?/SOT-23; 包裝：Digi-Reel®

IRLML2502TR詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT-23; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：4.2A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：45 毫歐 @ 4.2A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：740pF @ 15V; 功率_最大：1.25W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應商設備封裝：Micro3?/SOT-23; 包裝：剪切帶 (CT)

IRLML2502TRPBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT-23; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：4.2A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：45 毫歐 @ 4.2A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：740pF @ 15V; 功率_最大：1.25W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應商設備封裝：Micro3?/SOT-23; 包裝：Digi-Reel®

IRLML2502TRPBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT-23; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：4.2A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：45 毫歐 @ 4.2A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：740pF @ 15V; 功率_最大：1.25W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應商設備封裝：Micro3?/SOT-23; 包裝：帶卷 (TR)

IS-L0205-C
配件 NKK Switches 模塊 LOGIC BOARD FOR 36X24 LCD
E3K-C11-WH
其它 Illumra - KIT DEMO LIGHT SWITCH
IRLML2502TRPBF
FET - 單 International Rectifier TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT-23
ISL6568CRZ-T
PMIC - 穩壓器 - 專用型 Intersil 32-VFQFN 裸露焊盤 IC CTLR PWM BUCK 2PHASE 32-QFN
HCT7000MTX
FET - 單 TT Electronics/Optek Technology 3.18mm x 2.67mm x 1.37mm MOSFET N-CH 60V 200MA SMD
IRFZ48STRL
FET - 單 Vishay Siliconix TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
E39-G10
配件 Omron Electronics Inc-IA Div COVER FOR E3X-NH11 AMPLIFIR UNIT
ISL55211IRTZ-T7A
Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Intersil 16-WFQFN 裸露焊盤 IC OPAMP DIFF LOW NOISE 16TQFN
IS-L0205-C
配件 NKK Switches 模塊 LOGIC BOARD FOR 36X24 LCD
ISL6568IRZA
PMIC - 穩壓器 - 專用型 Intersil 32-VFQFN 裸露焊盤 IC CTRLR PWM BUCK 2PHASE 32-QFN
HCT-ACP-11
配件 OKI/Metcal 6-SMD，無引線 PUMP KIT 110VAC 14W >=28L/MIN
IRG4BC10KDPBF
IGBT - 單路 International Rectifier TO-220-3 IGBT N-CH W/DIO 600V 9A TO220AB
E39-G10
配件 Omron Electronics Inc-IA Div COVER FOR E3X-NH11 AMPLIFIR UNIT
E3L-2DC4
光學 - 光斷續器 - 槽型 - 邏輯輸出 Omron Electronics Inc-IA Div 模塊，預接線 RECEIVER ONLY FOR E3L-2RC4
IS-L0205-C
配件 NKK Switches 模塊 LOGIC BOARD FOR 36X24 LCD

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