IRLML5103GTRPBF詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 30V 0.76A SOT-23-3
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:760mA
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:600 毫歐 @ 600mA,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:5.1nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:75pF @ 25V
- 功率_最大:540mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應商設備封裝:Micro3?/SOT-23
- 包裝:剪切帶 (CT)
IRLML5103GTRPBF詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 30V 0.76A SOT-23-3
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:760mA
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:600 毫歐 @ 600mA,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:5.1nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:75pF @ 25V
- 功率_最大:540mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應商設備封裝:Micro3?/SOT-23
- 包裝:Digi-Reel®
IRLML5103GTRPBF詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 30V 0.76A SOT-23-3
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:760mA
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:600 毫歐 @ 600mA,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:5.1nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:75pF @ 25V
- 功率_最大:540mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應商設備封裝:Micro3?/SOT-23
- 包裝:帶卷 (TR)
IRLML5103TR詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 30V 760MA SOT-23
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:760mA
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:600 毫歐 @ 600mA,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:5.1nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:75pF @ 25V
- 功率_最大:540mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應商設備封裝:Micro3?/SOT-23
- 包裝:剪切帶 (CT)
IRLML5103TRPBF詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 30V 760MA SOT-23
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:760mA
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:600 毫歐 @ 600mA,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:5.1nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:75pF @ 25V
- 功率_最大:540mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應商設備封裝:Micro3?/SOT-23
- 包裝:Digi-Reel®
IRLML5103TRPBF詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 30V 760MA SOT-23
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:760mA
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:600 毫歐 @ 600mA,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:5.1nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:75pF @ 25V
- 功率_最大:540mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應商設備封裝:Micro3?/SOT-23
- 包裝:剪切帶 (CT)
- TVS - 二極管 ON Semiconductor DO-201AD,軸向 DIODE TVS 1500W 5V UNI DO-201AD
- FET - 單 International Rectifier TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT-23-3
- 壓力 SSI Technologies Inc 不銹鋼 SENSOR 1500PSI 1/4-18NPT .5-4.5V
- 接口 - 語音錄制和重放 Nuvoton Technology Corporation of America 28-DIP(0.600",15.24mm) IC VOICE REC/PLAY 8-16MIN 28DIP
- FET - 單 International Rectifier TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 MOSFET N-CH 30V 140A DPAK
- PMIC - 監控器 Intersil TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 IC VOLT SUPERVISOR 2.63V SOT23-3
- TVS - 其它復合 Littelfuse Inc DO-214AA,SMB SIDAC SLIC UNI 65V 150A DO-214AA
- 電池組 Panasonic - BSG BATTERY PACK NICAD 7.2V 300MAH
- TVS - 二極管 ON Semiconductor DO-201AD,軸向 DIODE TVS 1500W 12V UNI DO-201AD
- 接口 - 語音錄制和重放 Nuvoton Technology Corporation of America 28-SOIC(0.295",7.50mm 寬) IC VOICE REC/PLAY 8-16MIN 28SOIC
- FET - 單 International Rectifier TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 MOSFET N-CH 30V 140A DPAK
- TVS - 晶閘管 Littelfuse Inc DO-214AA,SMB SIDACTOR UNI 65V 500A DO214 2L
- PMIC - 監控器 Intersil SC-74A,SOT-753 IC VOLT MONITR SGL 2.19V SOT23-5
- AC DC 轉換器 Power-One DO-201AD,軸向 PWR SUP QUAD OUT +5,+3.3,12,12V
- 電池組 Panasonic - BSG BATTERY PACK NICAD 2.4V 300MAH
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