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IRLML5103 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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IRLML5103GTRPBF詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH 30V 0.76A SOT-23-3
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:30V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:760mA
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:600 毫歐 @ 600mA,10V
Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:5.1nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:75pF @ 25V
功率_最大:540mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供應商設備封裝:Micro3?/SOT-23
包裝:剪切帶 (CT)

IRLML5103GTRPBF詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH 30V 0.76A SOT-23-3
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:30V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:760mA
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:600 毫歐 @ 600mA,10V
Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:5.1nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:75pF @ 25V
功率_最大:540mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供應商設備封裝:Micro3?/SOT-23
包裝:Digi-Reel®

IRLML5103GTRPBF詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH 30V 0.76A SOT-23-3
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:30V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:760mA
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:600 毫歐 @ 600mA,10V
Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:5.1nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:75pF @ 25V
功率_最大:540mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供應商設備封裝:Micro3?/SOT-23
包裝:帶卷 (TR)

IRLML5103TR詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH 30V 760MA SOT-23
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:30V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:760mA
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:600 毫歐 @ 600mA,10V
Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:5.1nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:75pF @ 25V
功率_最大:540mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供應商設備封裝:Micro3?/SOT-23
包裝:剪切帶 (CT)

IRLML5103TRPBF詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH 30V 760MA SOT-23
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:30V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:760mA
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:600 毫歐 @ 600mA,10V
Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:5.1nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:75pF @ 25V
功率_最大:540mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供應商設備封裝:Micro3?/SOT-23
包裝:Digi-Reel®

IRLML5103TRPBF詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH 30V 760MA SOT-23
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:30V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:760mA
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:600 毫歐 @ 600mA,10V
Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:5.1nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:75pF @ 25V
功率_最大:540mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供應商設備封裝:Micro3?/SOT-23
包裝:剪切帶 (CT)

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