IRLR024 全國供應商、價格、PDF資料

IRLR024詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 60V 14A DPAK

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：60V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：14A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：100 毫歐 @ 8.4A，5V

Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：18nC @ 5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：870pF @ 25V

功率_最大：2.5W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

供應商設備封裝：D-Pak

包裝：管件

IRLR024NPBF詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 55V 17A DPAK

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：55V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：17A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：65 毫歐 @ 10A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：480pF @ 25V

功率_最大：45W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

供應商設備封裝：D-Pak

包裝：管件

IRLR024NTRL詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 55V 17A DPAK

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：55V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：17A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：65 毫歐 @ 10A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：480pF @ 25V

功率_最大：45W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

供應商設備封裝：D-Pak

包裝：帶卷 (TR)

IRLR024NTRLPBF詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 55V 17A DPAK

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：55V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：17A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：65 毫歐 @ 10A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：480pF @ 25V

功率_最大：45W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

供應商設備封裝：D-Pak

包裝：帶卷 (TR)

IRLR024NTRPBF詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 55V 17A DPAK

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：55V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：17A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：65 毫歐 @ 10A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：480pF @ 25V

功率_最大：45W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

供應商設備封裝：D-Pak

包裝：剪切帶 (CT)

IRLR024NTRPBF詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 55V 17A DPAK

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：55V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：17A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：65 毫歐 @ 10A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：480pF @ 25V

功率_最大：45W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

供應商設備封裝：D-Pak

包裝：Digi-Reel®

• GRM1556T1H8R6DD01D

  陶瓷    Murata Electronics North America    0402（1005 公制）    CAP CER 8.6PF 50V T2H 0402

• IRFSL4115PBF

  FET - 單    International Rectifier    TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA    MOSFET N-CH 150V 195A TO262

• IRLR024NTRPBF

  FET - 單    International Rectifier    TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63    MOSFET N-CH 55V 17A DPAK

• FWH-007A6F

  保險絲    Cooper Bussmann    3AB，3AG，1/4" x 1-1/4"    FUSE 7A 500V 6X32MM UL CSA

• CY7C1520KV18-250BZC

  存儲器    Cypress Semiconductor Corp    165-LBGA    IC SRAM 72MBIT 250MHZ 165LFBGA

• FXO-LC530-135.5

  振蕩器    Fox Electronics    6-SMD，無引線（DFN，LCC）    OSC 135.5 MHZ 3.3V LVDS SMD

• IRF6898MTR1PBF

  FET - 單    International Rectifier    DirectFET? 等容 MX    MOSFET N CH 25V 35A DIRECTFET

• HFBR-RMD010Z

  配件    Avago Technologies US Inc.        CABLE POF BLK PLAST DUPLEX 10M

• GRM1556T1H8R7DD01D

  陶瓷    Murata Electronics North America    0402（1005 公制）    CAP CER 8.7PF 50V T2H 0402

• FWH-100B

  保險絲 - 電氣，特制    Cooper Bussmann    圓柱形，扁平端子（螺栓）    FUSE 100A 500V HS BOLT-ON

• CY7C1520KV18-250BZI

  存儲器    Cypress Semiconductor Corp    165-LBGA    IC SRAM 72MBIT 250MHZ 165-FPBGA

• IRF6898MTRPBF

  FET - 單    International Rectifier    DirectFET? 等容 MX    MOSFET N CH 25V 35A DIRECTFET

• FXO-LC530-148.5

  振蕩器    Fox Electronics    6-SMD，無引線（DFN，LCC）    OSC 148.5 MHZ 3.3V LVDS SMD

• HFBR-RMD010Z

  配件    Avago Technologies US Inc.        CABLE POF BLK PLAST DUPLEX 10M

• IRFSL9N60APBF

  FET - 單    Vishay Siliconix    TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA    MOSFET N-CH 600V 9.2A TO-262