IRLR024Z 全國供應商、價格、PDF資料

IRLR024Z詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 55V 16A DPAK

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：55V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：16A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：58 毫歐 @ 9.6A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：9.9nC @ 5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：380pF @ 25V

功率_最大：35W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

供應商設備封裝：D-Pak

包裝：管件

IRLR024ZPBF詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 55V 16A DPAK

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：55V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：16A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：58 毫歐 @ 9.6A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：9.9nC @ 5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：380pF @ 25V

功率_最大：35W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

供應商設備封裝：D-Pak

包裝：管件

IRLR024ZTRLPBF詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 55V 16A DPAK

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：55V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：16A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：58 毫歐 @ 9.6A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：9.9nC @ 5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：380pF @ 25V

功率_最大：35W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

供應商設備封裝：D-Pak

包裝：帶卷 (TR)

IRLR024ZTRPBF詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 55V 16A DPAK

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：55V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：16A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：58 毫歐 @ 9.6A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：9.9nC @ 5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：380pF @ 25V

功率_最大：35W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

供應商設備封裝：D-Pak

包裝：Digi-Reel®

IRLR024ZTRPBF詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 55V 16A DPAK

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：55V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：16A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：58 毫歐 @ 9.6A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：9.9nC @ 5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：380pF @ 25V

功率_最大：35W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

供應商設備封裝：D-Pak

包裝：帶卷 (TR)

IRLR024ZTRPBF詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 55V 16A DPAK

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：55V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：16A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：58 毫歐 @ 9.6A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：9.9nC @ 5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：380pF @ 25V

功率_最大：35W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

供應商設備封裝：D-Pak

包裝：剪切帶 (CT)

• P2353UBLRP

  TVS - 晶閘管    Littelfuse Inc    6-SOIC（0.295"，7.50mm 寬）    SIDAC SYM 3CHP 200V 100A MS013

• ISD17150PYI01

  接口 - 語音錄制和重放    Nuvoton Technology Corporation of America    28-DIP（0.600"，15.24mm）    IC VOICE REC/PLAY 150SEC 28-DIP

• IRLR024NTRR

  FET - 單    International Rectifier    TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63    MOSFET N-CH 55V 17A DPAK

• P0461NLT

  固定式    Pulse Electronics Corporation    非標準    INDUCT PWR 57.2UH SMD

• P2RV-250C-SIM S7/300

  配件    Omron Electronics Inc-IA Div        CABLE

• MPSA42_D26Z

  晶體管(BJT) - 單路    Fairchild Semiconductor    TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引線    TRANSISTOR AMP NPN 300V HV TO-92

• ISL8501EVAL1Z

  評估板 - DC/DC 與 AC/DC（離線）SMPS    Intersil    12-VFDFN 裸露焊盤    EVALUATION BOARD FOR ISL8501

• P2353UBRP

  TVS - 晶閘管    Littelfuse Inc    6-SOIC（0.295"，7.50mm 寬）    SIDAC SYM 3CHP 200V 250A MS-013

• IRL3715ZPBF

  FET - 單    International Rectifier    TO-220-3    MOSFET N-CH 20V 50A TO-220AB

• P0463NLT

  固定式    Pulse Electronics Corporation    非標準    INDUCT PWR 100UH SMD

• P2RV-250C-SIM S7/300

  配件    Omron Electronics Inc-IA Div        CABLE

• MPSA42_D81Z

  晶體管(BJT) - 單路    Fairchild Semiconductor    TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引線    TRANS NPN 300V 500MA TO-92

• ISL8502AEVAL1Z

  評估板 - DC/DC 與 AC/DC（離線）SMPS    Intersil    24-VFQFN 裸露焊盤    EVAL BOARD FOR ISL8502

• IRL3715ZSPBF

  FET - 單    International Rectifier    TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB    MOSFET N-CH 20V 50A D2PAK

• P2353UCLRP

  TVS - 晶閘管    Littelfuse Inc    6-SOIC（0.295"，7.50mm 寬）    SIDACTOR 200V 200A PROT 6-SOICW