IRLR110詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:100V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:4.3A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:540 毫歐 @ 2.6A,5V
- Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:6.1nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:250pF @ 25V
- 功率_最大:2.5W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應商設備封裝:D-Pak
- 包裝:管件
IRLR110ATF詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 100V 4.7A DPAK
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:100V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:4.7A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:440 毫歐 @ 2.35A,5V
- Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:8nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:235pF @ 25V
- 功率_最大:2.5W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應商設備封裝:D-Pak
- 包裝:帶卷 (TR)
IRLR110ATM詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 100V 4.7A DPAK
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:100V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:4.7A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:440 毫歐 @ 2.35A,5V
- Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:8nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:235pF @ 25V
- 功率_最大:2.5W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應商設備封裝:D-Pak
- 包裝:帶卷 (TR)
IRLR110PBF詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:100V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:4.3A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:540 毫歐 @ 2.6A,5V
- Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:6.1nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:250pF @ 25V
- 功率_最大:2.5W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應商設備封裝:D-Pak
- 包裝:管件
IRLR110TR詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:100V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:4.3A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:540 毫歐 @ 2.6A,5V
- Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:6.1nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:250pF @ 25V
- 功率_最大:2.5W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應商設備封裝:D-Pak
- 包裝:帶卷 (TR)
IRLR110TRL詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:100V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:4.3A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:540 毫歐 @ 2.6A,5V
- Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:6.1nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:250pF @ 25V
- 功率_最大:2.5W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應商設備封裝:D-Pak
- 包裝:帶卷 (TR)
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Intersil 6-UFDFN 裸露焊盤 IC OP AMP R-R SGL ULN 6-UTDFN
- 嵌入式 - FPGA(現場可編程門陣列) Lattice Semiconductor Corporation 256-BGA IC FPGA 20KLUTS 140I/O 256-BGA
- FET - 單 International Rectifier TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 MOSFET N-CH 55V 16A DPAK
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps STMicroelectronics SC-74A,SOT-753 IC OP AMP SGL ENHANCED SOT23-5
- PMIC - 穩壓器 - 線性 Texas Instruments 4-WFBGA IC REG LDO 2.8V .15A 4USMD
- 固定式 Murata Electronics North America 0603(1608 公制) INDUCTOR 5.6NH 430MA 0603
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 88POS DIP .100 SLD
- 時鐘/計時 - 時鐘發生器,PLL,頻率合成器 Texas Instruments 24-UFQFN,CSP IC FREQ SYNTH 2.6GHZ 24LAMUCSP
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Intersil SOT-23-6 IC OPAMP R-R SGL ULN SOT23-6
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps STMicroelectronics 6-TSSOP(5 引線),SC-88A,SOT-353 IC OP AMP SGL STD SC70-5
- 評估板 - 線性穩壓器 (LDO) Texas Instruments 4-WFBGA BOARD EVALUATION LP3991TL-1.2
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 88POS DIP .100 SLD
- 固定式 Murata Electronics North America 0603(1608 公制) INDUCTOR 6.8NH 430MA 0603
- 評估板 - 運算放大器 Intersil 6-UFDFN 裸露焊盤 EVALUATION BOARD FOR ISL28194
- 時鐘/計時 - 時鐘發生器,PLL,頻率合成器 Texas Instruments 24-TSSOP(0.173",4.40mm 寬) IC FREQ SYNTH 2.6GHZ 24-TSSOP
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