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IRLR110 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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IRLR110詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
系列:-
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:100V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:4.3A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:540 毫歐 @ 2.6A,5V
Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:6.1nC @ 5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:250pF @ 25V
功率_最大:2.5W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應商設備封裝:D-Pak
包裝:管件

IRLR110ATF詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 100V 4.7A DPAK
系列:-
制造商:Fairchild Semiconductor
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:100V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:4.7A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:440 毫歐 @ 2.35A,5V
Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:8nC @ 5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:235pF @ 25V
功率_最大:2.5W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應商設備封裝:D-Pak
包裝:帶卷 (TR)

IRLR110ATM詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 100V 4.7A DPAK
系列:-
制造商:Fairchild Semiconductor
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:100V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:4.7A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:440 毫歐 @ 2.35A,5V
Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:8nC @ 5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:235pF @ 25V
功率_最大:2.5W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應商設備封裝:D-Pak
包裝:帶卷 (TR)

IRLR110PBF詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
系列:-
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:100V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:4.3A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:540 毫歐 @ 2.6A,5V
Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:6.1nC @ 5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:250pF @ 25V
功率_最大:2.5W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應商設備封裝:D-Pak
包裝:管件

IRLR110TR詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
系列:-
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:100V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:4.3A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:540 毫歐 @ 2.6A,5V
Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:6.1nC @ 5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:250pF @ 25V
功率_最大:2.5W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應商設備封裝:D-Pak
包裝:帶卷 (TR)

IRLR110TRL詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
系列:-
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:100V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:4.3A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:540 毫歐 @ 2.6A,5V
Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:6.1nC @ 5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:250pF @ 25V
功率_最大:2.5W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應商設備封裝:D-Pak
包裝:帶卷 (TR)

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