IRLR3105 全國供應商、價格、PDF資料

IRLR3105PBF詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 55V 25A DPAK

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：55V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：25A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：37 毫歐 @ 15A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：710pF @ 25V

功率_最大：57W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

供應商設備封裝：D-Pak

包裝：管件

IRLR3105TRLPBF詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 55V 25A DPAK

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：55V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：25A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：37 毫歐 @ 15A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：710pF @ 25V

功率_最大：57W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

供應商設備封裝：D-Pak

包裝：帶卷 (TR)

IRLR3105TRPBF詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 55V 25A DPAK

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：55V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：25A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：37 毫歐 @ 15A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：710pF @ 25V

功率_最大：57W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

供應商設備封裝：D-Pak

包裝：剪切帶 (CT)

IRLR3105TRPBF詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 55V 25A DPAK

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：55V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：25A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：37 毫歐 @ 15A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：710pF @ 25V

功率_最大：57W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

供應商設備封裝：D-Pak

包裝：帶卷 (TR)

IRLR3105TRPBF詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 55V 25A DPAK

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：55V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：25A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：37 毫歐 @ 15A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：710pF @ 25V

功率_最大：57W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

供應商設備封裝：D-Pak

包裝：Digi-Reel®

• LMV822IDT

  Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps    STMicroelectronics    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    IC OPAMP GP LP RR DUAL 8SOIC

• LP3996SD-1525

  PMIC - 穩壓器 - 線性    Texas Instruments    *    IC REG LDO 1.5V/2.5V 10-LLP

• LFE2M70SE-5FN900I

  嵌入式 - FPGA（現場可編程門陣列）    Lattice Semiconductor Corporation    900-BBGA    IC FPGA 67KLUTS 900FPBGA

• IRLR3103TRPBF

  FET - 單    International Rectifier    TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63    MOSFET N-CH 30V 55A DPAK

• LQH32MN100K23L

  固定式    Murata Electronics North America    1210（3225 公制）    INDUCTOR

• EEC50DRAI

  Card Edge, Edgeboard Connectors    Sullins Connector Solutions        CONN EDGECARD 100PS R/A .100 SLD

• ISL28230CRZ-T7A

  Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps    Intersil    8-VDFN 裸露焊盤    IC OPAMP GP RRIO 400KHZ DL 8DFN

• LMX25313010EVAL/NOPB

  評估演示板和套件    Texas Instruments        BOARD EVAL FOR LMK25313010

• LP3996SD-1525/NOPB

  PMIC - 穩壓器 - 線性    Texas Instruments    10-WFDFN 裸露焊盤    IC REG LDO 1.5V/2.5V 10-LLP

• LFE2M70SE-7F1152C

  嵌入式 - FPGA（現場可編程門陣列）    Lattice Semiconductor Corporation    1152-BBGA    IC FPGA 70KLUTS 430I/O 1152-BGA

• EEC50DRAI-S734

  Card Edge, Edgeboard Connectors    Sullins Connector Solutions        CONN EDGECARD 100PS .100 R/A PCB

• LQH32MN101J23L

  固定式    Murata Electronics North America    1210（3225 公制）    INDUCTOR

• LMX2531LQ1500E/NOPB

  時鐘/計時 - 時鐘發生器，PLL，頻率合成器    Texas Instruments    36-WFQFN 裸露焊盤    IC PLL FREQ SYNTH W/VCO 36-LLP

• LMV822MM

  Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps    Texas Instruments    *    IC OP AMP R-R LOW VOLT LP 8-MSOP

• LP3996SD-1833/NOPB

  PMIC - 穩壓器 - 線性    Texas Instruments    10-WFDFN 裸露焊盤    IC REG LDO 1.8V/3.3V 10-LLP