IRLR7821 全國供應商、價格、PDF資料

IRLR7821CTRRPBF詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 30V 65A DPAK

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：65A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：10 毫歐 @ 15A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 4.5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：1030pF @ 15V

功率_最大：75W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

供應商設備封裝：D-Pak

包裝：帶卷 (TR)

IRLR7821PBF詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 30V 65A DPAK

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：65A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：10 毫歐 @ 15A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 4.5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：1030pF @ 15V

功率_最大：75W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

供應商設備封裝：D-Pak

包裝：管件

IRLR7821TRLPBF詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 30V 65A DPAK

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：65A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：10 毫歐 @ 15A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 4.5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：1030pF @ 15V

功率_最大：75W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

供應商設備封裝：D-Pak

包裝：帶卷 (TR)

IRLR7821TRPBF詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 30V 65A DPAK

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：65A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：10 毫歐 @ 15A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 4.5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：1030pF @ 15V

功率_最大：75W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

供應商設備封裝：D-Pak

包裝：Digi-Reel®

IRLR7821TRPBF詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 30V 65A DPAK

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：65A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：10 毫歐 @ 15A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 4.5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：1030pF @ 15V

功率_最大：75W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

供應商設備封裝：D-Pak

包裝：剪切帶 (CT)

IRLR7821TRPBF詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 30V 65A DPAK

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：65A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：10 毫歐 @ 15A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 4.5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：1030pF @ 15V

功率_最大：75W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

供應商設備封裝：D-Pak

包裝：帶卷 (TR)

• ECQ-U2A224ML

  薄膜    Panasonic Electronic Components    徑向    CAP FILM 0.22UF 275VAC RADIAL

• KPT08E14-15S

  連接器，互連器件    ITT Cannon        CONN PLUG 15POS W/SKT CABLE R/A

• IRLR7821TRPBF

  FET - 單    International Rectifier    TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63    MOSFET N-CH 30V 65A DPAK

• LNK363GN-TL

  PMIC - AC-DC 轉換器，離線開關    Power Integrations    8-SMD（7 個接腳），鷗形翼    IC OFFLINE SWIT HV 8SMD

• IPB014N06N

  FET - 單    Infineon Technologies    *    MOSF N CH 60V 34A TO263-7

• ISL32496EIUZ-T7A

  接口 - 驅動器，接收器，收發器    Intersil    10-TFSOP，10-MSOP（0.118"，3.00mm 寬）    IC LINEAR

• KPSE02E22-21SA206

  連接器，互連器件    ITT Cannon        CONN RCPT 21POS BOX MNT SKT

• ISL9000AIRKNZ

  PMIC - 穩壓器 - 線性    Intersil    10-VFDFN 裸露焊盤    IC REG LDO 2.85V/3.3V .3A 10-DFN

• ECQ-U2A225KLA

  薄膜    Panasonic Electronic Components    徑向    CAP FILM 2.2UF 275VAC RADIAL

• IPB015N04N G

  FET - 單    Infineon Technologies    TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB    MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3

• LNK364GN-TL

  PMIC - AC-DC 轉換器，離線開關    Power Integrations    8-SMD（7 個接腳），鷗形翼    IC OFFLINE SWIT HV 8SMD

• KPSE02E22-55P

  連接器，互連器件    ITT Cannon        CONN RCPT 55POS BOX MNT W/PINS

• ISL32498EIBZ-T

  接口 - 驅動器，接收器，收發器    Intersil    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    IC TXRX RS485 FAULT PROT 8SOIC

• ECQ-U2A274KLA

  薄膜    Panasonic Electronic Components    徑向    CAP FILM 0.27UF 275VAC RADIAL

• ISL9000AIRNFZ-T

  PMIC - 穩壓器 - 線性    Intersil    10-VFDFN 裸露焊盤    IC REG LDO 3.3V/2.5V .3A 10-DFN