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IXFN100N10S1詳細規格: 類別：FET; 描述：MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B; 系列：HiPerFET™; 制造商：IXYS; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：100A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：15 毫歐 @ 500mA，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 4mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：180nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：4500pF @ 25V; 功率_最大：360W; 安裝類型：底座安裝; 封裝/外殼：SOT-227-4，miniBLOC; 供應商設備封裝：SOT-227B; 包裝：管件

IXFN100N10S2詳細規格: 類別：FET; 描述：MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B; 系列：HiPerFET™; 制造商：IXYS; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：100A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：15 毫歐 @ 500mA，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 4mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：180nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：4500pF @ 25V; 功率_最大：360W; 安裝類型：底座安裝; 封裝/外殼：SOT-227-4，miniBLOC; 供應商設備封裝：SOT-227B; 包裝：管件

IXFN100N10S3詳細規格: 類別：FET; 描述：MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B; 系列：HiPerFET™; 制造商：IXYS; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：100A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：15 毫歐 @ 500mA，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 4mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：180nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：4500pF @ 25V; 功率_最大：360W; 安裝類型：底座安裝; 封裝/外殼：SOT-227-4，miniBLOC; 供應商設備封裝：SOT-227B; 包裝：管件

IXFN100N20詳細規格: 類別：FET; 描述：MOSFET N-CH 200V 100A SOT-227B; 系列：HiPerFET™; 制造商：IXYS; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：100A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：23 毫歐 @ 500mA，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 8mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：380nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：9000pF @ 25V; 功率_最大：520W; 安裝類型：底座安裝; 封裝/外殼：SOT-227-4，miniBLOC; 供應商設備封裝：SOT-227B; 包裝：管件

IXFN100N25詳細規格: 類別：FET; 描述：MOSFET N-CH 250V 100A SOT-227B; 系列：HiPerFET™; 制造商：IXYS; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：250V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：100A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：27 毫歐 @ 500mA，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 8mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：300nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：9100pF @ 25V; 功率_最大：600W; 安裝類型：底座安裝; 封裝/外殼：SOT-227-4，miniBLOC; 供應商設備封裝：SOT-227B; 包裝：管件

IXFN100N50P詳細規格: 類別：FET; 描述：MOSFET N-CH 500V 90A SOT-227B; 系列：PolarHV™; 制造商：IXYS; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：500V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：90A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：49 毫歐 @ 50A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：5V @ 8mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：240nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：20000pF @ 25V; 功率_最大：1040W; 安裝類型：底座安裝; 封裝/外殼：SOT-227-4，miniBLOC; 供應商設備封裝：SOT-227B; 包裝：管件

IDT7035S15PF8
存儲器 IDT, Integrated Device Technology Inc 100-LQFP IC SRAM 144KBIT 15NS 100TQFP
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FET - 單 Vishay Siliconix TO-220-3 MOSFET N-CH 900V 1.7A TO-220AB
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評估演示板和套件 Intersil * EVAL BOARD 2 FOR ISL9519 TQFN
CV500-BC101
配件 Omron Electronics Inc-IA Div 64-TQFP BACKPLANE CPU 10 SLOT
IXFN100N20
FET IXYS SOT-227-4，miniBLOC MOSFET N-CH 200V 100A SOT-227B
IDT72215LB25TFI8
邏輯 - FIFO IDT, Integrated Device Technology Inc 64-LQFP IC FIFO 512X18 SYNC 25NS 64QFP
ISL88001IH17Z-TK
PMIC - 監控器 Intersil TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 IC VOLT SUPERVISOR 1.67V SOT23-3
IDT7038L20PFI8
存儲器 IDT, Integrated Device Technology Inc 100-LQFP IC SRAM 1.125MBIT 20NS 100TQFP
ISL95210HRZ-T7A
PMIC - 穩壓器 - DC DC 開關穩壓器 Intersil 32-VFQFN 裸露焊盤 IC REG BUCK SYNC ADJ 10A 32QFN
ISL88001IH22Z-T7A
PMIC - 監控器 Intersil TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 IC VOLT SUPERVISOR 2.19V SOT23-3
IDT72220L15TP
邏輯 - FIFO IDT, Integrated Device Technology Inc 28-DIP（0.300"，7.62mm） IC FIFO 1024X8 SYNC 15NS 28-DIP
IDT7052L25PQFI
存儲器 IDT, Integrated Device Technology Inc 132-BQFP 緩沖式 IC SRAM 16KBIT 25NS 132QFP
CV500-BI042
配件 Omron Electronics Inc-IA Div 64-TQFP BACKPLANE I/O EXP 4 SLOT
ISL95311UIU10Z-TK
數據采集 - 數字電位器 Intersil 10-TFSOP，10-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） IC XDCP 128-TAP 50KOHM 10-MSOP
IXFN106N20
FET IXYS SOT-227-4，miniBLOC MOSFET N-CH 200V 106A SOT-227B

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