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IXFN360N10T 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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IXFN360N10T詳細規格

類別:FET
描述:MOSFET N-CH 100V 360A SOT-227B
系列:HiPerFET™
制造商:IXYS
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:100V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:360A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2.6 毫歐 @ 180A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4.5V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:505nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:36000pF @ 25V
功率_最大:830W
安裝類型:底座安裝
封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC
供應商設備封裝:SOT-227B
包裝:管件

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