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IXFN44N80 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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IXFN44N80詳細規格

類別:FET
描述:MOSFET N-CH 800V 44A SOT-227B
系列:HiPerFET™
制造商:IXYS
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:800V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:44A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:165 毫歐 @ 500mA,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4.5V @ 8mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:380nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:10000pF @ 25V
功率_最大:700W
安裝類型:底座安裝
封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC
供應商設備封裝:SOT-227B
包裝:管件

IXFN44N80P詳細規格

類別:FET
描述:MOSFET N-CH 800V 39A SOT-227B
系列:PolarHV™
制造商:IXYS
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:800V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:39A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:190 毫歐 @ 500mA,10V
Id時的Vgs333th444(最大):5V @ 8mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:200nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:12000pF @ 25V
功率_最大:694W
安裝類型:底座安裝
封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC
供應商設備封裝:SOT-227B
包裝:管件

IXFN44N80Q3詳細規格

類別:FET
描述:MOSFET N-CH 800V 37A SOT-227
系列:HiPerFET™
制造商:IXYS
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:800V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:37A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:190 毫歐 @ 22A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):6.5V @ 8mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:185nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:9840pF @ 25V
功率_最大:780W
安裝類型:底座安裝
封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC
供應商設備封裝:SOT-227B
包裝:管件

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