IXFP4N100P詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220
- 系列:Polar™ HiPerFET™
- 制造商:IXYS
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:1000V(1kV)
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:4A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:3.3 歐姆 @ 2A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:26nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1456pF @ 25V
- 功率_最大:150W
- 安裝類型:通孔
- 封裝/外殼:TO-220-3
- 供應商設備封裝:TO-220
- 包裝:管件
IXFP4N100Q詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220
- 系列:HiPerFET™
- 制造商:IXYS
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:1000V(1kV)
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:4A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:3 歐姆 @ 2A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):5V @ 1.5mA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:39nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1050pF @ 25V
- 功率_最大:150W
- 安裝類型:通孔
- 封裝/外殼:TO-220-3
- 供應商設備封裝:TO-220
- 包裝:管件
- 陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 1800PF 200V X7R RADIAL
- FET - 單 IXYS TO-220-3 MOSFET N-CH 500V 16A TO-220
- 晶體 ECS Inc 4-SMD,無引線(DFN,LCC) CRYSTAL 40.000 MHZ SERIES SMD
- 薄膜 Panasonic Electronic Components 徑向 CAP FILM 0.18UF 630VDC RADIAL
- 陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 0.015UF 100V 20% RADIAL
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) IC OP AMP 88MHZ 1.8V CMOS 8-SOIC
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div RELAY THERMAL OVERLOAD 0.6-0.9A
- PMIC - MOSFET,電橋驅動器 - 外部開關 Intersil 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8-SOIC
- 陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 1800PF 200V X7R RADIAL
- 晶體 ECS Inc 4-SMD,無引線(DFN,LCC) CRYSTAL 40.000 MHZ SERIES SMD
- 陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 0.015UF 200V 20% RADIAL
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments SC-74A,SOT-753 IC AMP 88MHZ 1.8V CMOS SOT23-5
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div RELAY THERMAL OVERLOAD 0.6-0.9A
- PMIC - MOSFET,電橋驅動器 - 外部開關 Intersil 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8-SOIC
- 晶體 ECS Inc 圓柱形罐,徑向 CRYSTAL 4.000 MHZ 18PF CYL
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