IXFT 全國供應商、價格、PDF資料

IXFT10N100詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 1000V 10A TO-268

系列：HiPerFET™

制造商：IXYS

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：1000V（1kV）

電流_連續漏極333Id4440a025000C：10A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.2 歐姆 @ 5A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4.5V @ 4mA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：155nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：4000pF @ 25V

功率_最大：300W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-268-3，D³Pak（2 引線+接片），TO-268AA

供應商設備封裝：TO-268

包裝：管件

IXFT120N15P詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 150V 120A TO-268

系列：PolarHT™ HiPerFET™

制造商：IXYS

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：150V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：120A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：16 毫歐 @ 500mA，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：5V @ 4mA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：150nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：4900pF @ 25V

功率_最大：600W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-268-3，D³Pak（2 引線+接片），TO-268AA

供應商設備封裝：TO-268

包裝：管件

IXFT12N100詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 1000V 12A TO-268

系列：HiPerFET™

制造商：IXYS

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：1000V（1kV）

電流_連續漏極333Id4440a025000C：12A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.05 歐姆 @ 6A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4.5V @ 4mA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：155nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：4000pF @ 25V

功率_最大：300W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-268-3，D³Pak（2 引線+接片），TO-268AA

供應商設備封裝：TO-268

包裝：管件

IXFT12N100Q詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 1000V 12A TO268

系列：HiPerFET™

制造商：IXYS

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：1000V（1kV）

電流_連續漏極333Id4440a025000C：12A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.05 歐姆 @ 6A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：5.5V @ 4mA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：90nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：2900pF @ 25V

功率_最大：300W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-268-3，D³Pak（2 引線+接片），TO-268AA

供應商設備封裝：TO-268

包裝：管件

IXFT12N90Q詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 900V 12A TO-268

系列：HiPerFET™

制造商：IXYS

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：900V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：12A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：900 毫歐 @ 6A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：5.5V @ 4mA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：90nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：2900pF @ 25V

功率_最大：300W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-268-3，D³Pak（2 引線+接片），TO-268AA

供應商設備封裝：TO-268

包裝：管件

IXFT13N100詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 1KV 12.5A TO-268

系列：HiPerFET™

制造商：IXYS

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：1000V（1kV）

電流_連續漏極333Id4440a025000C：12.5A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：900 毫歐 @ 500mA，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4.5V @ 4mA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：155nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：4000pF @ 25V

功率_最大：300W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-268-3，D³Pak（2 引線+接片），TO-268AA

供應商設備封裝：TO-268

包裝：管件

• IRF530STRRPBF

  FET - 單    Vishay Siliconix    TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB    MOSFET N-CH 100V 14A D2PAK

• KTR10EZPF4702

  芯片電阻 - 表面安裝    Rohm Semiconductor    0805（2012 公制）    RES 47.0K OHM 1/8W 1% 0805 SMD

• IXFT12N100

  FET - 單    IXYS    TO-268-3，D³Pak（2 引線+接片），TO-268AA    MOSFET N-CH 1000V 12A TO-268

• K183K10X7RF5TL2

  陶瓷    Vishay BC Components    徑向    CAP CER 0.018UF 50V 10% RADIAL

• ISL6610IRZ

  PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關    Intersil    16-VQFN 裸露焊盤    IC MOSFET DRVR DUAL SYNC 16-QFN

• K180J10C0GF5UL2

  陶瓷    Vishay BC Components    徑向    CAP CER 18PF 50V 5% RADIAL

• LMV822ID

  Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps    Texas Instruments    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    IC OPAMP GP R-R 5.5MHZ 8SOIC

• IRF540,127

  FET - 單    NXP Semiconductors    TO-220-3    MOSFET N-CH 100V 23A TO220AB

• ECQ-E6334KZ

  薄膜    Panasonic Electronic Components    徑向    CAP FILM 0.33UF 630VDC RADIAL

• ISL6611ACRZ

  PMIC - 穩壓器 - DC DC 切換控制器    Intersil    16-VQFN 裸露焊盤    IC REG CTRLR DOUBLER PWM 16-QFN

• K183K10X7RF5UH5

  陶瓷    Vishay BC Components    徑向    CAP CER 0.018UF 50V 10% RADIAL

• K180J10C0GH53H5

  陶瓷    Vishay BC Components    徑向    CAP CER 18PF 100V 5% RADIAL

• LMV822IDR

  Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps    Texas Instruments    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    IC OPAMP GP R-R 5.5MHZ 8SOIC

• ECQ-E6392KF

  薄膜    Panasonic Electronic Components    徑向    CAP FILM 3900PF 630VDC RADIAL

• IRF540NPBF

  FET - 單    International Rectifier    TO-220-3    MOSFET N-CH 100V 33A TO-220AB