IMX8-7詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 陣列
- 描述:TRANSISTOR DUAL NPN 120V SOT-26
- 系列:-
- 制造商:Diodes Inc
- 晶體管類型:2 NPN(雙)
- 電流_集電極333Ic444(最大):50mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):120V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):500mV @ 1mA,10mA
- 電流_集電極截止(最大):-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:180 @ 2mA,6V
- 功率_最大:300mW
- 頻率_轉換:140MHz
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:SOT-23-6
- 供應商設備封裝:SOT-26
- 包裝:帶卷 (TR)
IMX8-7詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 陣列
- 描述:TRANSISTOR DUAL NPN 120V SOT-26
- 系列:-
- 制造商:Diodes/Zetex
- 晶體管類型:2 NPN(雙)
- 電流_集電極333Ic444(最大):50mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):120V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):500mV @ 1mA,10mA
- 電流_集電極截止(最大):-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:180 @ 2mA,6V
- 功率_最大:300mW
- 頻率_轉換:140MHz
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:SOT-23-6
- 供應商設備封裝:SOT-26
- 包裝:帶卷 (TR)
IMX8-7詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 陣列
- 描述:TRANSISTOR DUAL NPN 120V SOT-26
- 系列:-
- 制造商:Diodes Inc
- 晶體管類型:2 NPN(雙)
- 電流_集電極333Ic444(最大):50mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):120V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):500mV @ 1mA,10mA
- 電流_集電極截止(最大):-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:180 @ 2mA,6V
- 功率_最大:300mW
- 頻率_轉換:140MHz
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:SOT-23-6
- 供應商設備封裝:SOT-26
- 包裝:剪切帶 (CT)
IMX8-7-F詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 陣列
- 描述:TRANSISTOR DUAL NPN 120V SOT26
- 系列:-
- 制造商:Diodes Inc
- 晶體管類型:2 NPN(雙)
- 電流_集電極333Ic444(最大):50mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):120V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):500mV @ 1mA,10mA
- 電流_集電極截止(最大):-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:180 @ 2mA,6V
- 功率_最大:300mW
- 頻率_轉換:140MHz
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:SOT-23-6
- 供應商設備封裝:SOT-26
- 包裝:Digi-Reel®
IMX8-7-F詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 陣列
- 描述:TRANSISTOR DUAL NPN 120V SOT26
- 系列:-
- 制造商:Diodes Inc
- 晶體管類型:2 NPN(雙)
- 電流_集電極333Ic444(最大):50mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):120V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):500mV @ 1mA,10mA
- 電流_集電極截止(最大):-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:180 @ 2mA,6V
- 功率_最大:300mW
- 頻率_轉換:140MHz
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:SOT-23-6
- 供應商設備封裝:SOT-26
- 包裝:剪切帶 (CT)
IMX8-7-F詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 陣列
- 描述:TRANSISTOR DUAL NPN 120V SOT26
- 系列:-
- 制造商:Diodes Inc
- 晶體管類型:2 NPN(雙)
- 電流_集電極333Ic444(最大):50mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):120V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):500mV @ 1mA,10mA
- 電流_集電極截止(最大):-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:180 @ 2mA,6V
- 功率_最大:300mW
- 頻率_轉換:140MHz
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:SOT-23-6
- 供應商設備封裝:SOT-26
- 包裝:帶卷 (TR)
- 線性 - 音頻放大器 Texas Instruments 10-TFSOP,10-MSOP(0.118",3.00mm 寬) IC AMP AUDIO MONO/STER AB 10MSOP
- 薄膜 Panasonic Electronic Components 徑向 CAP FILM 0.033UF 400VDC RADIAL
- 數據采集 - 數字電位器 Intersil 10-TFSOP,10-MSOP(0.118",3.00mm 寬) IC DGTL POT 256POS 10K 10MSOP
- 晶體管(BJT) - 陣列 Diodes Inc SOT-23-6 TRANSISTOR DUAL NPN 120V SOT26
- FET - 單 International Rectifier TO-262-3,長引線,I²Pak,TO-262AA MOSFET N-CH 40V 195A TO262
- FET - 單 Infineon Technologies 4-TSFN 裸露焊盤 MOSFET N-CH 650V 11.1A 4VSON
- 線性 - 音頻放大器 Texas Instruments 32-WFQFN 裸露焊盤 IC AMP AUDIO PWR 1.1W STER 32LLP
- 數據采集 - 模擬前端 (AFE) Texas Instruments 28-SOIC(0.173",4.40mm 寬)裸露焊盤 IC AFE SNSR 24BIT SRL 28-TSSOP
- 薄膜 Panasonic Electronic Components 徑向 CAP FILM 0.33UF 400VDC RADIAL
- 支架 - 配件 Hammond Manufacturing 4-TSFN 裸露焊盤 PLINTH 700 X 800MM X 4"
- FET - 單 International Rectifier TO-262-3,長引線,I²Pak,TO-262AA MOSFET N-CH 60V 195A TO262
- 線性 - 音頻放大器 Texas Instruments 14-WFBGA IC AMP AUDIO PWR .08W AB 14USMD
- 評估演示板和套件 Texas Instruments 28-SOIC(0.173",4.40mm 寬)裸露焊盤 EVAL BOARD FOR LMP91000
- 晶體管(BJT) - 陣列 Rohm Semiconductor SC-74,SOT-457 TRANS DUAL NPN 120V 50MA SOT-457
- 薄膜 Panasonic Electronic Components 徑向 CAP FILM 0.33UF 400VDC RADIAL
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