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KSC1173 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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KSC1173OTU詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANSISTOR NPN 30V 3A TO-220
系列:-
制造商:Fairchild Semiconductor
晶體管類型:NPN
電流_集電極333Ic444(最大):3A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):30V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):800mV @ 200mA,2A
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:70 @ 500mA,2V
功率_最大:10W
頻率_轉換:100MHz
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-220-3
供應商設備封裝:TO-220
包裝:管件

KSC1173YTSTU詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANSISTOR NPN 30V 3A TO-220
系列:-
制造商:Fairchild Semiconductor
晶體管類型:NPN
電流_集電極333Ic444(最大):3A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):30V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):800mV @ 200mA,2A
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:120 @ 500mA,2V
功率_最大:10W
頻率_轉換:100MHz
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-220-3
供應商設備封裝:TO-220
包裝:管件

KSC1173YTU詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANSISTOR NPN 30V 3A TO-220
系列:-
制造商:Fairchild Semiconductor
晶體管類型:NPN
電流_集電極333Ic444(最大):3A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):30V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):800mV @ 200mA,2A
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:120 @ 500mA,2V
功率_最大:10W
頻率_轉換:100MHz
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-220-3
供應商設備封裝:TO-220
包裝:管件

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