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KSD1221 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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KSD1221GTU詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANSISTOR NPN 60V 3A I-PAK
系列:-
制造商:Fairchild Semiconductor
晶體管類型:NPN
電流_集電極333Ic444(最大):3A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):60V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):1V @ 300mA,3A
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:150 @ 500mA,5V
功率_最大:1W
頻率_轉換:3MHz
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA
供應商設備封裝:I-Pak
包裝:管件

KSD1221OTU詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANSISTOR NPN 60V 3A I-PAK
系列:-
制造商:Fairchild Semiconductor
晶體管類型:NPN
電流_集電極333Ic444(最大):3A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):60V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):1V @ 300mA,3A
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:60 @ 500mA,5V
功率_最大:1W
頻率_轉換:3MHz
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA
供應商設備封裝:I-Pak
包裝:管件

KSD1221YTU詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANSISTOR NPN 60V 3A I-PAK
系列:-
制造商:Fairchild Semiconductor
晶體管類型:NPN
電流_集電極333Ic444(最大):3A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):60V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):1V @ 300mA,3A
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:100 @ 500mA,5V
功率_最大:1W
頻率_轉換:3MHz
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA
供應商設備封裝:I-Pak
包裝:管件

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