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KSD1273 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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KSD1273OTU詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANSISTOR NPN 60V 3A TO-220F
系列:-
制造商:Fairchild Semiconductor
晶體管類型:NPN
電流_集電極333Ic444(最大):3A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):60V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):1V @ 50mA,2A
電流_集電極截止(最大):100µA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:1200 @ 500mA,4V
功率_最大:2W
頻率_轉換:30MHz
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-220-3 整包
供應商設備封裝:TO-220F
包裝:管件

KSD1273P詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANSISTOR NPN 60V 3A TO-220F
系列:-
制造商:Fairchild Semiconductor
晶體管類型:NPN
電流_集電極333Ic444(最大):3A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):60V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):1V @ 50mA,2A
電流_集電極截止(最大):100µA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:800 @ 500mA,4V
功率_最大:2W
頻率_轉換:30MHz
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-220-3 整包
供應商設備封裝:TO-220F
包裝:散裝

KSD1273PTSTU詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANSISTOR NPN 60V 3A TO-220F
系列:-
制造商:Fairchild Semiconductor
晶體管類型:NPN
電流_集電極333Ic444(最大):3A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):60V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):1V @ 50mA,2A
電流_集電極截止(最大):100µA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:800 @ 500mA,4V
功率_最大:2W
頻率_轉換:30MHz
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-220-3 整包
供應商設備封裝:TO-220F
包裝:管件

KSD1273PTU詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANSISTOR NPN 60V 3A TO-220F
系列:-
制造商:Fairchild Semiconductor
晶體管類型:NPN
電流_集電極333Ic444(最大):3A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):60V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):1V @ 50mA,2A
電流_集電極截止(最大):100µA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:800 @ 500mA,4V
功率_最大:2W
頻率_轉換:30MHz
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-220-3 整包
供應商設備封裝:TO-220F
包裝:管件

KSD1273Q詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANSISTOR NPN 60V 3A TO-220F
系列:-
制造商:Fairchild Semiconductor
晶體管類型:NPN
電流_集電極333Ic444(最大):3A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):60V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):1V @ 50mA,2A
電流_集電極截止(最大):100µA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:500 @ 500mA,4V
功率_最大:2W
頻率_轉換:30MHz
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-220-3 整包
供應商設備封裝:TO-220F
包裝:散裝

KSD1273QTU詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANSISTOR NPN 60V 3A TO-220F
系列:-
制造商:Fairchild Semiconductor
晶體管類型:NPN
電流_集電極333Ic444(最大):3A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):60V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):1V @ 50mA,2A
電流_集電極截止(最大):100µA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:500 @ 500mA,4V
功率_最大:2W
頻率_轉換:30MHz
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-220-3 整包
供應商設備封裝:TO-220F
包裝:管件

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