KSD1616AGBU詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路
- 描述:TRANSISTOR NPN 60V 1A TO-92
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- 晶體管類型:NPN
- 電流_集電極333Ic444(最大):1A
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):60V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):300mV @ 50mA,1A
- 電流_集電極截止(最大):-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:200 @ 100mA,2V
- 功率_最大:750mW
- 頻率_轉換:160MHz
- 安裝類型:通孔
- 封裝/外殼:TO-226-3、TO-92-3 標準主體
- 供應商設備封裝:TO-92-3
- 包裝:散裝
KSD1616AGTA詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路
- 描述:TRANSISTOR NPN 60V 1A TO-92
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- 晶體管類型:NPN
- 電流_集電極333Ic444(最大):1A
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):60V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):300mV @ 50mA,1A
- 電流_集電極截止(最大):-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:200 @ 100mA,2V
- 功率_最大:750mW
- 頻率_轉換:160MHz
- 安裝類型:通孔
- 封裝/外殼:TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引線
- 供應商設備封裝:TO-92-3
- 包裝:帶盒(TB)
KSD1616ALBU詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路
- 描述:TRANSISTOR NPN 60V 1A TO-92
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- 晶體管類型:NPN
- 電流_集電極333Ic444(最大):1A
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):60V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):300mV @ 50mA,1A
- 電流_集電極截止(最大):-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:300 @ 100mA,2V
- 功率_最大:750mW
- 頻率_轉換:160MHz
- 安裝類型:通孔
- 封裝/外殼:TO-226-3、TO-92-3 標準主體
- 供應商設備封裝:TO-92-3
- 包裝:散裝
KSD1616ALTA詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路
- 描述:TRANSISTOR NPN 60V 1A TO-92
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- 晶體管類型:NPN
- 電流_集電極333Ic444(最大):1A
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):60V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):300mV @ 50mA,1A
- 電流_集電極截止(最大):-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:300 @ 100mA,2V
- 功率_最大:750mW
- 頻率_轉換:160MHz
- 安裝類型:通孔
- 封裝/外殼:TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引線
- 供應商設備封裝:TO-92-3
- 包裝:帶盒(TB)
KSD1616AYBU詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路
- 描述:TRANSISTOR NPN 60V 1A TO-92
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- 晶體管類型:NPN
- 電流_集電極333Ic444(最大):1A
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):60V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):300mV @ 50mA,1A
- 電流_集電極截止(最大):-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:135 @ 100mA,2V
- 功率_最大:750mW
- 頻率_轉換:160MHz
- 安裝類型:通孔
- 封裝/外殼:TO-226-3、TO-92-3 標準主體
- 供應商設備封裝:TO-92-3
- 包裝:散裝
KSD1616AYTA詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路
- 描述:TRANSISTOR NPN 60V 1A TO-92
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- 晶體管類型:NPN
- 電流_集電極333Ic444(最大):1A
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):60V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):300mV @ 50mA,1A
- 電流_集電極截止(最大):-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:135 @ 100mA,2V
- 功率_最大:750mW
- 頻率_轉換:160MHz
- 安裝類型:通孔
- 封裝/外殼:TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引線
- 供應商設備封裝:TO-92-3
- 包裝:帶盒(TB)
- 線性 - 比較器 Texas Instruments 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) IC DUAL DIFF COMPARATOR 8-SOIC
- PMIC - 穩壓器 - 線性 Texas Instruments * IC REG LDO 8V .5A TO-263
- PMIC - 穩壓器 - DC DC 切換控制器 Texas Instruments 32-WFQFN 裸露焊盤 IC REG CTRLR BUCK PWM VM 32-LLP
- 晶體管(BJT) - 單路 Fairchild Semiconductor TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引線 TRANSISTOR NPN 60V 1A TO-92
- 連接器,互連器件 ITT Cannon CONN PLUG 12POS W/SKT CABLE
- IGBT - 單路 IXYS TO-3P-3,SC-65-3 IGBT 600V 100A TO-3P
- PMIC - 穩壓器 - 線性 Texas Instruments * IC REG LDO 1.2V 1.5A TO263-5
- 電容器 Panasonic Electronic Components 徑向,Can - 卡入式 CAP ALUM 330UF 250V 20% SNAP
- 線性 - 比較器 Texas Instruments 8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 寬) IC DUAL DIFF COMPARATOR 8-MSOP
- 連接器,互連器件 ITT Cannon CONN PLUG 12POS W/SKT CABLE
- IGBT - 單路 IXYS TO-3P-3,SC-65-3 IGBT HIGH SPEED TO-3P
- PMIC - 穩壓器 - 線性 Texas Instruments TO-220-5 成形引線 IC REG LDO 1.2V 1.5A TO220-5
- PMIC - 穩壓器 - 線性 Texas Instruments TO-261-4,TO-261AA IC REG LDO 12V .4A SOT-223
- 電容器 Panasonic Electronic Components 徑向,Can - 卡入式 CAP ALUM 470UF 250V 20% SNAP
- 線性 - 比較器 Texas Instruments 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) IC DUAL DIFF COMP 8-SOIC
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