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KSD5018 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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KSD5018詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANSISTOR NPN 275V 4A TO-220
系列:-
制造商:Fairchild Semiconductor
晶體管類型:NPN - 達林頓
電流_集電極333Ic444(最大):4A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):275V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):1.5V @ 20mA,3A
電流_集電極截止(最大):1mA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:-
功率_最大:40W
頻率_轉換:-
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-220-3
供應商設備封裝:TO-220
包裝:散裝

KSD5018PWD詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANSISTOR NPN 275V 4A TO-220
系列:-
制造商:Fairchild Semiconductor
晶體管類型:NPN - 達林頓
電流_集電極333Ic444(最大):4A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):275V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):1.5V @ 20mA,3A
電流_集電極截止(最大):1mA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:-
功率_最大:40W
頻率_轉換:-
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-220-3
供應商設備封裝:TO-220
包裝:散裝

KSD5018TU詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANSISTOR NPN 275V 4A TO-220
系列:-
制造商:Fairchild Semiconductor
晶體管類型:NPN - 達林頓
電流_集電極333Ic444(最大):4A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):275V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):1.5V @ 20mA,3A
電流_集電極截止(最大):1mA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:-
功率_最大:40W
頻率_轉換:-
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-220-3
供應商設備封裝:TO-220
包裝:管件

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