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MBT35200MT1G 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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MBT35200MT1G詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS SW PNP BIPOL 35V 2A 6TSOP
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶體管類型:PNP
電流_集電極333Ic444(最大):2A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):35V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):310mV @ 20mA,2A
電流_集電極截止(最大):100nA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:100 @ 1.5A,1.5V
功率_最大:625mW
頻率_轉換:100MHz
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:SC-74,SOT-457
供應商設備封裝:6-TSOP
包裝:Digi-Reel®

MBT35200MT1G詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS SW PNP BIPOL 35V 2A 6TSOP
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶體管類型:PNP
電流_集電極333Ic444(最大):2A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):35V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):310mV @ 20mA,2A
電流_集電極截止(最大):100nA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:100 @ 1.5A,1.5V
功率_最大:625mW
頻率_轉換:100MHz
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:SC-74,SOT-457
供應商設備封裝:6-TSOP
包裝:帶卷 (TR)

MBT35200MT1G詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS SW PNP BIPOL 35V 2A 6TSOP
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶體管類型:PNP
電流_集電極333Ic444(最大):2A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):35V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):310mV @ 20mA,2A
電流_集電極截止(最大):100nA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:100 @ 1.5A,1.5V
功率_最大:625mW
頻率_轉換:100MHz
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:SC-74,SOT-457
供應商設備封裝:6-TSOP
包裝:剪切帶 (CT)

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