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MJB42CT4 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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MJB42CT4G詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS PWR PNP COMP 6A 100V D2PAK
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶體管類型:PNP
電流_集電極333Ic444(最大):6A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):100V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):1.5V @ 600mA,6A
電流_集電極截止(最大):700µA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:15 @ 3A,4V
功率_最大:2W
頻率_轉換:3MHz
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
供應商設備封裝:D2PAK
包裝:帶卷 (TR)

MJB42CT4G詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS PWR PNP COMP 6A 100V D2PAK
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶體管類型:PNP
電流_集電極333Ic444(最大):6A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):100V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):1.5V @ 600mA,6A
電流_集電極截止(最大):700µA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:15 @ 3A,4V
功率_最大:2W
頻率_轉換:3MHz
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
供應商設備封裝:D2PAK
包裝:Digi-Reel®

MJB42CT4G詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS PWR PNP COMP 6A 100V D2PAK
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶體管類型:PNP
電流_集電極333Ic444(最大):6A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):100V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):1.5V @ 600mA,6A
電流_集電極截止(最大):700µA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:15 @ 3A,4V
功率_最大:2W
頻率_轉換:3MHz
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
供應商設備封裝:D2PAK
包裝:剪切帶 (CT)

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