MJD243詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路
- 描述:TRANS POWER NPN 4A 100V DPAK-3
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶體管類型:NPN
- 電流_集電極333Ic444(最大):4A
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):100V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):600mV @ 100mA,1A
- 電流_集電極截止(最大):-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:40 @ 200mA,1V
- 功率_最大:1.4W
- 頻率_轉換:40MHz
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應商設備封裝:DPAK-3
- 包裝:管件
MJD243G詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路
- 描述:TRANS POWER NPN 4A 100V DPAK
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶體管類型:NPN
- 電流_集電極333Ic444(最大):4A
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):100V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):600mV @ 100mA,1A
- 電流_集電極截止(最大):-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:40 @ 200mA,1V
- 功率_最大:1.4W
- 頻率_轉換:40MHz
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應商設備封裝:DPAK-3
- 包裝:管件
MJD243T4詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路
- 描述:TRANS PWR NPN 4A 100V DPAK
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶體管類型:NPN
- 電流_集電極333Ic444(最大):4A
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):100V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):600mV @ 100mA,1A
- 電流_集電極截止(最大):-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:40 @ 200mA,1V
- 功率_最大:1.4W
- 頻率_轉換:40MHz
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應商設備封裝:DPAK-3
- 包裝:Digi-Reel®
MJD243T4詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路
- 描述:TRANS PWR NPN 4A 100V DPAK
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶體管類型:NPN
- 電流_集電極333Ic444(最大):4A
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):100V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):600mV @ 100mA,1A
- 電流_集電極截止(最大):-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:40 @ 200mA,1V
- 功率_最大:1.4W
- 頻率_轉換:40MHz
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應商設備封裝:DPAK-3
- 包裝:剪切帶 (CT)
MJD243T4G詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路
- 描述:TRANS POWER NPN 4A 100V DPAK
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶體管類型:NPN
- 電流_集電極333Ic444(最大):4A
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):100V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):600mV @ 100mA,1A
- 電流_集電極截止(最大):-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:40 @ 200mA,1V
- 功率_最大:1.4W
- 頻率_轉換:40MHz
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應商設備封裝:DPAK-3
- 包裝:Digi-Reel®
MJD243T4G詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路
- 描述:TRANS POWER NPN 4A 100V DPAK
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶體管類型:NPN
- 電流_集電極333Ic444(最大):4A
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):100V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):600mV @ 100mA,1A
- 電流_集電極截止(最大):-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:40 @ 200mA,1V
- 功率_最大:1.4W
- 頻率_轉換:40MHz
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應商設備封裝:DPAK-3
- 包裝:帶卷 (TR)
- 二極管,整流器 - 陣列 ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 DIODE SWITCH DUAL 70V SOT23
- AC DC 轉換器 Emerson Network Power/Embedded Power MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
- 晶體管(BJT) - 單路 ON Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 TRANS PWR PNP 5A 25V DPAK
- 芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Beyschlag Wide 0604(1610 Metric),0406 RES 20K OHM 1/4W .1% 0406 WIDE
- 晶體管(BJT) - 單路 ON Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB TRANS PWR NPN 6A 100V D2PAK-3
- 邏輯 - 柵極和逆變器 Fairchild Semiconductor 14-TSSOP(0.173",4.40mm 寬) IC HEX INVERTER 14-TSSOP
- 邏輯 - 變換器 Maxim Integrated 16-WQFN 裸露焊盤 IC LEVEL TRANS 6CH 16-TQFN-EP
- PMIC - MOSFET,電橋驅動器 - 外部開關 Maxim Integrated 8-SOIC(0.154",3.90mm Width)裸露焊盤 IC HALF-BRIDGE MOSFET DVR 8-SOIC
- 二極管,整流器 - 陣列 Fairchild Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 DIODE ULTRAFAST HI COND SOT-23
- 芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Beyschlag Wide 0604(1610 Metric),0406 RES 226 OHM 1/4W .1% 0406 WIDE
- 晶體管(BJT) - 單路 ON Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB TRANS PWR PNP COMP 6A 100V D2PAK
- 邏輯 - 柵極和逆變器 Fairchild Semiconductor 14-SOIC(0.209",5.30mm 寬) IC GATE AND QUAD 2-INP 14-SOP
- PMIC - MOSFET,電橋驅動器 - 外部開關 Maxim Integrated 8-SOIC(0.154",3.90mm Width)裸露焊盤 IC MOSF DRVR HALF BRDG HS 8-SOIC
- 邏輯 - 變換器 Maxim Integrated 16-WQFN 裸露焊盤 IC LEVEL TRANS 6CH 16-TQFN-EP
- 二極管,整流器 - 陣列 Diodes/Zetex TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 DIODE DUAL SW 75V 350MW SOT23-3
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