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MJD29 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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MJD2955詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS POWER PNP 10A 60V DPAK
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶體管類型:PNP
電流_集電極333Ic444(最大):10A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):60V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):8V @ 3.3A,10A
電流_集電極截止(最大):50µA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:20 @ 4A,4V
功率_最大:1.75W
頻率_轉換:2MHz
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應商設備封裝:DPAK-3
包裝:管件

MJD2955-001詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS POWER PNP 10A 60V IPAK
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶體管類型:PNP
電流_集電極333Ic444(最大):10A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):60V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):8V @ 3.3A,10A
電流_集電極截止(最大):50µA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:20 @ 4A,4V
功率_最大:1.75W
頻率_轉換:2MHz
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA
供應商設備封裝:I-Pak
包裝:管件

MJD2955-1G詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS POWER PNP 10A 60V IPAK
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶體管類型:PNP
電流_集電極333Ic444(最大):10A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):60V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):8V @ 3.3A,10A
電流_集電極截止(最大):50µA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:20 @ 4A,4V
功率_最大:1.75W
頻率_轉換:2MHz
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA
供應商設備封裝:I-Pak
包裝:管件

MJD2955G詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS POWER PNP 10A 60V DPAK
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶體管類型:PNP
電流_集電極333Ic444(最大):10A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):60V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):8V @ 3.3A,10A
電流_集電極截止(最大):50µA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:20 @ 4A,4V
功率_最大:1.75W
頻率_轉換:2MHz
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應商設備封裝:DPAK-3
包裝:管件

MJD2955T4詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANSISTOR PNP 60V 10A DPAK
系列:-
制造商:STMicroelectronics
晶體管類型:PNP
電流_集電極333Ic444(最大):10A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):60V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):8V @ 3.3A,10A
電流_集電極截止(最大):50µA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:20 @ 4A,4V
功率_最大:20W
頻率_轉換:2MHz
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應商設備封裝:D-Pak
包裝:剪切帶 (CT)

MJD2955T4詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANSISTOR PNP 60V 10A DPAK
系列:-
制造商:STMicroelectronics
晶體管類型:PNP
電流_集電極333Ic444(最大):10A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):60V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):5V @ 3.3A,10A
電流_集電極截止(最大):50µA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:20 @ 4A,4V
功率_最大:20W
頻率_轉換:2MHz
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應商設備封裝:D-Pak
包裝:帶卷 (TR)

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