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MJE30 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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MJE3055T詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANSISTOR NPN 60V 10A TO-220
系列:-
制造商:STMicroelectronics
晶體管類型:NPN
電流_集電極333Ic444(最大):10A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):60V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):8V @ 3.3A,10A
電流_集電極截止(最大):700µA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:20 @ 4A,4V
功率_最大:75W
頻率_轉換:2MHz
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-220-3
供應商設備封裝:TO-220AB
包裝:管件

MJE3055T詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS PWR NPN 10A 60V TO220AB
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶體管類型:NPN
電流_集電極333Ic444(最大):10A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):60V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):8V @ 3.3A,10A
電流_集電極截止(最大):700µA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:20 @ 4A,4V
功率_最大:75W
頻率_轉換:2MHz
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-220-3
供應商設備封裝:TO-220AB
包裝:管件

MJE3055TG詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS PWR NPN 10A 60V TO220AB
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶體管類型:NPN
電流_集電極333Ic444(最大):10A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):60V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):8V @ 3.3A,10A
電流_集電極截止(最大):700µA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:20 @ 4A,4V
功率_最大:75W
頻率_轉換:2MHz
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-220-3
供應商設備封裝:TO-220AB
包裝:管件

MJE3055TTU詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANSISTOR NPN 60V 10A TO-220
系列:-
制造商:Fairchild Semiconductor
晶體管類型:NPN
電流_集電極333Ic444(最大):10A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):60V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):8V @ 3.3A,10A
電流_集電極截止(最大):700µA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:20 @ 4A,4V
功率_最大:600mW
頻率_轉換:2MHz
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-220-3
供應商設備封裝:TO-220
包裝:管件

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