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MMBT5088詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANSISTOR GP NPN AMP SOT-23; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; 晶體管類型：NPN; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：30V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：500mV @ 1mA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：300 @ 100µA，5V; 功率_最大：350mW; 頻率_轉換：50MHz; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應商設備封裝：SOT-23; 包裝：Digi-Reel®

MMBT5088詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANSISTOR GP NPN AMP SOT-23; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; 晶體管類型：NPN; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：30V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：500mV @ 1mA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：300 @ 100µA，5V; 功率_最大：350mW; 頻率_轉換：50MHz; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應商設備封裝：SOT-23; 包裝：帶卷 (TR)

MMBT5088詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANSISTOR GP NPN AMP SOT-23; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; 晶體管類型：NPN; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：30V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：500mV @ 1mA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：300 @ 100µA，5V; 功率_最大：350mW; 頻率_轉換：50MHz; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應商設備封裝：SOT-23; 包裝：剪切帶 (CT)

MMBT5088LT1詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANS SS GP NPN 30V LN SOT23; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類型：NPN; 電流_集電極333Ic444（最大）：50mA; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：30V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：500mV @ 1mA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：300 @ 100µA，5V; 功率_最大：225mW; 頻率_轉換：50MHz; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應商設備封裝：SOT-23-3（TO-236）; 包裝：剪切帶 (CT)

MMBT5088LT1G詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANS GP SS NPN 30V LN SOT23; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類型：NPN; 電流_集電極333Ic444（最大）：50mA; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：30V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：500mV @ 1mA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：300 @ 100µA，5V; 功率_最大：225mW; 頻率_轉換：50MHz; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應商設備封裝：SOT-23-3（TO-236）; 包裝：Digi-Reel®

MMBT5088LT1G詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANS GP SS NPN 30V LN SOT23; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類型：NPN; 電流_集電極333Ic444（最大）：50mA; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：30V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：500mV @ 1mA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：300 @ 100µA，5V; 功率_最大：225mW; 頻率_轉換：50MHz; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應商設備封裝：SOT-23-3（TO-236）; 包裝：剪切帶 (CT)

MJN2C-AC120
功率，高于 2 安 Omron Electronics Inc-IA Div RELAY GEN PURPOSE DPDT 10A 120V
MAX16021PTEY+T
PMIC - 監控器 Maxim Integrated 16-WQFN 裸露焊盤 IC SUPERVISOR OD 2.192V 16TQFN
MJTP1138BTUBE
觸摸 APEM Components, LLC SWITCH TACTILE SPST-NO 0.05A 12V
MLH05KPSB01B
壓力 Honeywell Sensing and Control 圓柱型，金屬 SENSOR AMP 5000PSI 4-20MA OUT
MMBT5088
晶體管(BJT) - 單路 Fairchild Semiconductor TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 TRANSISTOR GP NPN AMP SOT-23
MM912J637AV1EPR2
PMIC - 電池管理 Freescale Semiconductor 48-VFQFN 裸露焊盤 IC MCU LIN BATT MONITOR 48QFN
MJN2C-AC6
功率，高于 2 安 Omron Electronics Inc-IA Div RELAY GEN PURPOSE DPDT 10A 6V
MJTP1138CLBULK
觸摸 APEM Components, LLC SWITCH TACTILE SPST-NO 0.05A 12V
MAX16023LTAM12+T
PMIC - 電池管理 Maxim Integrated 8-WDFN 裸露焊盤 IC BATTERY BACKUP 1.2V 8TDFN-EP
MJTP1138CTR
觸摸 APEM Components, LLC SWITCH TACTILE SPST-NO 0.05A 12V
MAX16023LTAM18+T
PMIC - 電池管理 Maxim Integrated 8-WDFN 裸露焊盤 IC BATTERY BACKUP 1.8V 8TDFN-EP
MJN2C-DC48
功率，高于 2 安 Omron Electronics Inc-IA Div RELAY GEN PURPOSE DPDT 10A 48V
MMA02040C1001FB300
芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Beyschlag MELF，0204 RES 1.0K OHM .4W 1% 0204 MELF
MJTP1138DTR
觸摸 APEM Components, LLC SWITCH TACTILE SPST-NO 0.05A 12V
MMBT5401
晶體管(BJT) - 單路 Fairchild Semiconductor TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 TRANSISTOR PNP 150V SOT-23

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