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MMBTH10 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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MMBTH10詳細規格

類別:RF 晶體管 (BJT)
描述:TRANSISTOR RF NPN SOT-23
系列:-
制造商:Fairchild Semiconductor
晶體管類型:NPN
電壓_集電極發射極擊穿(最大):25V
頻率_轉換:650MHz
噪聲系數(dB典型值0a0頻率):-
增益:-
功率_最大:225mW
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:60 @ 4mA,10V
電流_集電極333Ic444(最大):50mA
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供應商設備封裝:SOT-23-3(TO-236)
包裝:剪切帶 (CT)

MMBTH10詳細規格

類別:RF 晶體管 (BJT)
描述:TRANSISTOR RF NPN SOT-23
系列:-
制造商:Fairchild Semiconductor
晶體管類型:NPN
電壓_集電極發射極擊穿(最大):25V
頻率_轉換:650MHz
噪聲系數(dB典型值0a0頻率):-
增益:-
功率_最大:225mW
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:60 @ 4mA,10V
電流_集電極333Ic444(最大):50mA
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供應商設備封裝:SOT-23-3(TO-236)
包裝:帶卷 (TR)

MMBTH10詳細規格

類別:RF 晶體管 (BJT)
描述:TRANSISTOR RF NPN SOT-23
系列:-
制造商:Fairchild Semiconductor
晶體管類型:NPN
電壓_集電極發射極擊穿(最大):25V
頻率_轉換:650MHz
噪聲系數(dB典型值0a0頻率):-
增益:-
功率_最大:225mW
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:60 @ 4mA,10V
電流_集電極333Ic444(最大):50mA
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供應商設備封裝:SOT-23-3(TO-236)
包裝:Digi-Reel®

MMBTH10-4LT1詳細規格

類別:RF 晶體管 (BJT)
描述:TRANS VHF/UHF NPN 25V SOT-23
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶體管類型:NPN
電壓_集電極發射極擊穿(最大):25V
頻率_轉換:800MHz
噪聲系數(dB典型值0a0頻率):-
增益:-
功率_最大:225mW
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:120 @ 4mA,10V
電流_集電極333Ic444(最大):-
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供應商設備封裝:SOT-23-3(TO-236)
包裝:帶卷 (TR)

MMBTH10-7詳細規格

類別:RF 晶體管 (BJT)
描述:TRANS NPN VHF/UHF 25V SOT23-3
系列:-
制造商:Diodes Inc
晶體管類型:NPN
電壓_集電極發射極擊穿(最大):25V
頻率_轉換:650MHz
噪聲系數(dB典型值0a0頻率):-
增益:-
功率_最大:300mW
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:60 @ 4mA,10V
電流_集電極333Ic444(最大):50mA
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供應商設備封裝:SOT-23-3
包裝:剪切帶 (CT)

MMBTH10-7詳細規格

類別:RF 晶體管 (BJT)
描述:TRANS NPN VHF/UHF 25V SOT23-3
系列:-
制造商:Diodes Inc
晶體管類型:NPN
電壓_集電極發射極擊穿(最大):25V
頻率_轉換:650MHz
噪聲系數(dB典型值0a0頻率):-
增益:-
功率_最大:300mW
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:60 @ 4mA,10V
電流_集電極333Ic444(最大):50mA
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供應商設備封裝:SOT-23-3
包裝:帶卷 (TR)

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