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MMDT3906V 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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MMDT3906V-7詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 陣列
描述:TRANS BIPO PNP DUAL SOT-563
系列:-
制造商:Diodes Inc
晶體管類型:2 PNP(雙)
電流_集電極333Ic444(最大):200mA
電壓_集電極發射極擊穿(最大):40V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):400mV @ 5mA,50mA
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:100 @ 10mA,1V
功率_最大:150mW
頻率_轉換:250MHz
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:SOT-563,SOT-666
供應商設備封裝:SOT-563
包裝:帶卷 (TR)

MMDT3906VC-7詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 陣列
描述:TRANS PNP DUAL BIPOLAR SOT-563
系列:-
制造商:Diodes Inc
晶體管類型:2 PNP(雙)
電流_集電極333Ic444(最大):200mA
電壓_集電極發射極擊穿(最大):40V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):400mV @ 5mA,50mA
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:100 @ 10mA,1V
功率_最大:150mW
頻率_轉換:250MHz
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:SOT-563,SOT-666
供應商設備封裝:SOT-563
包裝:Digi-Reel®

MMDT3906VC-7詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 陣列
描述:TRANS PNP DUAL BIPOLAR SOT-563
系列:-
制造商:Diodes Inc
晶體管類型:2 PNP(雙)
電流_集電極333Ic444(最大):200mA
電壓_集電極發射極擊穿(最大):40V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):400mV @ 5mA,50mA
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:100 @ 10mA,1V
功率_最大:150mW
頻率_轉換:250MHz
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:SOT-563,SOT-666
供應商設備封裝:SOT-563
包裝:剪切帶 (CT)

MMDT3906VC-7詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 陣列
描述:TRANS PNP DUAL BIPOLAR SOT-563
系列:-
制造商:Diodes Inc
晶體管類型:2 PNP(雙)
電流_集電極333Ic444(最大):200mA
電壓_集電極發射極擊穿(最大):40V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):400mV @ 5mA,50mA
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:100 @ 10mA,1V
功率_最大:150mW
頻率_轉換:250MHz
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:SOT-563,SOT-666
供應商設備封裝:SOT-563
包裝:帶卷 (TR)

MMDT3906V-TP詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 陣列
描述:TRANSISTOR PNP DUAL 40V SOT563
系列:-
制造商:Micro Commercial Co
晶體管類型:2 PNP(雙)
電流_集電極333Ic444(最大):200mA
電壓_集電極發射極擊穿(最大):40V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):400mV @ 5mA,50mA
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:100 @ 10mA,1V
功率_最大:150mW
頻率_轉換:250MHz
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:SOT-563,SOT-666
供應商設備封裝:SOT-563
包裝:帶卷 (TR)

MMDT3906V-TP詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 陣列
描述:TRANSISTOR PNP DUAL 40V SOT563
系列:-
制造商:Micro Commercial Co
晶體管類型:2 PNP(雙)
電流_集電極333Ic444(最大):200mA
電壓_集電極發射極擊穿(最大):40V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):400mV @ 5mA,50mA
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:100 @ 10mA,1V
功率_最大:150mW
頻率_轉換:250MHz
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:SOT-563,SOT-666
供應商設備封裝:SOT-563
包裝:Digi-Reel®

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