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MMSF3P02HDR2詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 5.6A 8-SOIC; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：5.6A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：75 毫歐 @ 3A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：46nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1400pF @ 16V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：剪切帶 (CT)

MMSF3P02HDR2詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 5.6A 8-SOIC; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：5.6A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：75 毫歐 @ 3A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：46nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1400pF @ 16V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

MMSF3P02HDR2G詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 5.6A 8-SOIC; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：5.6A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：75 毫歐 @ 3A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：46nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1400pF @ 16V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：Digi-Reel®

MMSF3P02HDR2G詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 5.6A 8-SOIC; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：5.6A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：75 毫歐 @ 3A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：46nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1400pF @ 16V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

MMSF3P02HDR2G詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 5.6A 8-SOIC; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：5.6A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：75 毫歐 @ 3A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：46nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1400pF @ 16V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：剪切帶 (CT)

MMSF3P02HDR2SG詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 5.6A 8-SOIC; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：5.6A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：75 毫歐 @ 3A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：46nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1400pF @ 16V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

MS27466T11F5S
連接器，互連器件 TE Connectivity CONN RCPT 5POS FLANGE W/SKT
MMWA6P1K-F
薄膜 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 軸向 CAP FILM 0.1UF 630VDC AXIAL
MP6-2E-1C-4LL-00
AC DC 轉換器 Emerson Network Power/Embedded Power MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
MMSF3P02HDR2G
FET - 單 ON Semiconductor 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET P-CH 20V 5.6A 8-SOIC
MP8-2W-2W-1E-1Q-20
AC DC 轉換器 Emerson Network Power/Embedded Power MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
MME23-0141R1
背板 - 專用 Vishay Dale SOT-23-6 CONN RACK/PANEL 14POS 5A
GRM188F51E103ZA01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0603（1608 公制） CAP CER 10000PF 25V Y5V 0603
MP6-3N-LLE-NNE-00
AC DC 轉換器 Emerson Network Power/Embedded Power MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
MMWA6P1K-F
薄膜 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 軸向 CAP FILM 0.1UF 630VDC AXIAL
MP6-2E-1D-1D-4LL-30
AC DC 轉換器 Emerson Network Power/Embedded Power MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
MP8-2W-2W-1Q-20
AC DC 轉換器 Emerson Network Power/Embedded Power MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
MME25-007
背板 - 專用 Vishay Dale CONN RACK/PANEL 7POS 5A
GRM188F51E104ZA01J
陶瓷 Murata Electronics North America 0603（1608 公制） CAP CER 0.1UF 25V Y5V 0603
MP6-3O-1N-1Q-00
AC DC 轉換器 Emerson Network Power/Embedded Power MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
MS27466T11F98S
連接器，互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 6POS WALL MT W/SCKT

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