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MMUN2231LT1詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式; 描述：TRANS BRT NPN 50V SOT-23; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類型：NPN - 預偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：2.2k; 電阻器_發射極333R2444（歐）：2.2k; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：8 @ 5mA，10V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 5mA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉換：-; 功率_最大：246mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應商設備封裝：SOT-23-3（TO-236）; 包裝：帶卷 (TR)

MMUN2231LT1G詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式; 描述：TRANS BRT NPN 100MA 50V SOT-23; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類型：NPN - 預偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：2.2k; 電阻器_發射極333R2444（歐）：2.2k; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：8 @ 5mA，10V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 5mA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉換：-; 功率_最大：246mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應商設備封裝：SOT-23-3（TO-236）; 包裝：Digi-Reel®

MMUN2231LT1G詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式; 描述：TRANS BRT NPN 100MA 50V SOT-23; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類型：NPN - 預偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：2.2k; 電阻器_發射極333R2444（歐）：2.2k; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：8 @ 5mA，10V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 5mA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉換：-; 功率_最大：246mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應商設備封裝：SOT-23-3（TO-236）; 包裝：帶卷 (TR)

MMUN2231LT1G詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式; 描述：TRANS BRT NPN 100MA 50V SOT-23; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類型：NPN - 預偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：2.2k; 電阻器_發射極333R2444（歐）：2.2k; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：8 @ 5mA，10V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 5mA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉換：-; 功率_最大：246mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應商設備封裝：SOT-23-3（TO-236）; 包裝：剪切帶 (CT)

SS100M025ST
電容器 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 徑向，Can CAP ALUM 10UF 25V 20% RADIAL
SM4124FT2R74
芯片電阻 - 表面安裝 Stackpole Electronics Inc 4124 J 形引線 RES 2.74 OHM 2W 1% WW 4124
SL405MX
連接器，互連器件 Switchcraft Inc. 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） CONN PLUG 5POS MALE W/COUPLING
SS14-E3/61T
單二極管/整流器 Vishay General Semiconductor DO-214AC，SMA DIODE SCHOTTKY 1A 40V SMA
SFT1431-E
FET - 單 ON Semiconductor TO-251-3 長引線，IPak，TO-251AB MOSFET N-CH 35V 11A TP
MMUN2216LT1G
晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式 ON Semiconductor TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 TRANS BRT NPN 100MA 50V SOT23
RT1206BRD073K3L
芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 1206（3216 公制） RES 3.30K OHM 1/4W .1% SMD 1206
SRR0906-8R2ML
固定式 Bourns Inc. 非標準 INDUCTOR 8.2UH 2.1A SMD
MMP4W2P2K-F
薄膜 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 軸向 CAP FILM 2.2UF 400VDC AXIAL
SFT1440-TL-E
FET - 單 ON Semiconductor TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 600V 1.5A TP-FA
SL42-9C
單二極管/整流器 Vishay General Semiconductor DO-214AB，SMC RECTIFIER SCHOTTKY 4A20V SMC
RT1206BRD073K6L
芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 1206（3216 公制） RES 3.60K OHM 1/4W .1% SMD 1206
SS15
單二極管/整流器 Fairchild Semiconductor DO-214AC，SMA DIODE SCHOTTKY 1A 50V SMA
SRR0906-9R2ML
固定式 Bourns Inc. 非標準 INDUCTOR 9.2UH SMD
SM4124FT309R
芯片電阻 - 表面安裝 Stackpole Electronics Inc 4124 J 形引線 RES 309 OHM 2W 1% WW 4124

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