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MPS2222ARL詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANSISTOR NPN GP SS 40V TO-92; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類型：NPN; 電流_集電極333Ic444（最大）：600mA; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：40V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：1V @ 50mA，500mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 150mA，10V; 功率_最大：625mW; 頻率_轉換：300MHz; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引線; 供應商設備封裝：TO-92-3; 包裝：帶卷 (TR)

MPS2222ARLG詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANSISTOR NPN GP SS 40V TO-92; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類型：NPN; 電流_集電極333Ic444（最大）：600mA; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：40V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：1V @ 50mA，500mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 150mA，10V; 功率_最大：625mW; 頻率_轉換：300MHz; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引線; 供應商設備封裝：TO-92-3; 包裝：帶卷 (TR)

MPS2222ARLG詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANSISTOR NPN GP SS 40V TO-92; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類型：NPN; 電流_集電極333Ic444（最大）：600mA; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：40V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：1V @ 50mA，500mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 150mA，10V; 功率_最大：625mW; 頻率_轉換：300MHz; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引線; 供應商設備封裝：TO-92-3; 包裝：剪切帶 (CT)

MPS2222ARLG詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANSISTOR NPN GP SS 40V TO-92; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類型：NPN; 電流_集電極333Ic444（最大）：600mA; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：40V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：1V @ 50mA，500mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 150mA，10V; 功率_最大：625mW; 頻率_轉換：300MHz; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引線; 供應商設備封裝：TO-92-3; 包裝：Digi-Reel®

MPS2222ARLRA詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANS NPN SS GP 40V TO92; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類型：NPN; 電流_集電極333Ic444（最大）：600mA; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：40V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：1V @ 50mA，500mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 150mA，10V; 功率_最大：625mW; 頻率_轉換：300MHz; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引線; 供應商設備封裝：TO-92-3; 包裝：剪切帶 (CT)

MPS2222ARLRAG詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANS NPN GP SS 40V TO92; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類型：NPN; 電流_集電極333Ic444（最大）：600mA; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：40V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：1V @ 50mA，500mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 150mA，10V; 功率_最大：625mW; 頻率_轉換：300MHz; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引線; 供應商設備封裝：TO-92-3; 包裝：剪切帶 (CT)

MMD23-0341C1
背板 - 專用 Vishay Dale CONN RACK/PANEL 34POS 5A
MP4-2E/1L-1L-00
AC DC 轉換器 Emerson Network Power/Embedded Power 10-SIP MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
MPS203R04
按鈕 TE Connectivity 徑向 SWITCH PUSHBUTTON DPDT 3A 125V
MLP2520S4R7M
固定式 TDK Corporation 1008（2520 公制） INDUCTOR MULTILAYER 4.7UH 1008
GRM1885C1H4R7BZ01J
陶瓷 Murata Electronics North America 0603（1608 公制） CAP CER 4.7PF 50V NP0 0603
MAX5151ACPE+
數據采集 - 數模轉換器 Maxim Integrated 16-DIP（0.300"，7.62mm） IC DAC 13BIT DUAL LP SER 16-DIP
MAX6220ASA-5.0+
PMIC - 電壓基準 Maxim Integrated 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC VREF SERIES PREC 5V 8-SOIC
MMD23-0341H1
背板 - 專用 Vishay Dale CONN RACK/PANEL 34POS 5A
MMSZ5239B-TP
單二極管/齊納 Micro Commercial Co SOD-123 DIODE ZENER 500MW 9.1V SOD123
GRM1885C1H4R7CZ01J
陶瓷 Murata Electronics North America 0603（1608 公制） CAP CER 4.7PF 50V NP0 0603
MLP281M450EB0A
電容器 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 扁平封裝 CAP ALUM 280UF 450V 20% RADIAL
MAX5151BCPE+
數據采集 - 數模轉換器 Maxim Integrated 16-DIP（0.300"，7.62mm） IC DAC 13BIT DUAL LP SER 16-DIP
MAX6225BCSA
PMIC - 電壓基準 Maxim Integrated 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC VREF SERIES BURIED ZNR 8-SOIC
MMSZ5240B
單二極管/齊納 Fairchild Semiconductor SOD-123 DIODE ZENER 10V 500MW SOD-123
MMD23-0341R1
背板 - 專用 Vishay Dale CONN RACK/PANEL 34POS 5A

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