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MPSH10 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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MPSH10詳細規格

類別:RF 晶體管 (BJT)
描述:TRANSISTOR NPN RF VHF/UHF TO-92
系列:-
制造商:Fairchild Semiconductor
晶體管類型:NPN
電壓_集電極發射極擊穿(最大):25V
頻率_轉換:650MHz
噪聲系數(dB典型值0a0頻率):-
增益:-
功率_最大:350mW
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:60 @ 4mA,10V
電流_集電極333Ic444(最大):50mA
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-226-3、TO-92-3 標準主體
供應商設備封裝:TO-92-3
包裝:散裝

MPSH10_D26Z詳細規格

類別:RF 晶體管 (BJT)
描述:TRANS RF NPN 25V 50MA TO-92
系列:-
制造商:Fairchild Semiconductor
晶體管類型:NPN
電壓_集電極發射極擊穿(最大):25V
頻率_轉換:650MHz
噪聲系數(dB典型值0a0頻率):-
增益:-
功率_最大:350mW
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:60 @ 4mA,10V
電流_集電極333Ic444(最大):50mA
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引線
供應商設備封裝:TO-92-3
包裝:帶卷 (TR)

MPSH10_D27Z詳細規格

類別:RF 晶體管 (BJT)
描述:TRANS RF NPN 25V 50MA TO-92
系列:-
制造商:Fairchild Semiconductor
晶體管類型:NPN
電壓_集電極發射極擊穿(最大):25V
頻率_轉換:650MHz
噪聲系數(dB典型值0a0頻率):-
增益:-
功率_最大:350mW
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:60 @ 4mA,10V
電流_集電極333Ic444(最大):50mA
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引線
供應商設備封裝:TO-92-3
包裝:帶卷 (TR)

MPSH10_D74Z詳細規格

類別:RF 晶體管 (BJT)
描述:TRANS RF NPN 25V 50MA TO-92
系列:-
制造商:Fairchild Semiconductor
晶體管類型:NPN
電壓_集電極發射極擊穿(最大):25V
頻率_轉換:650MHz
噪聲系數(dB典型值0a0頻率):-
增益:-
功率_最大:350mW
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:60 @ 4mA,10V
電流_集電極333Ic444(最大):50mA
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引線
供應商設備封裝:TO-92-3
包裝:帶盒(TB)

MPSH10_D75Z詳細規格

類別:RF 晶體管 (BJT)
描述:TRANS RF NPN 25V 50MA TO-92
系列:-
制造商:Fairchild Semiconductor
晶體管類型:NPN
電壓_集電極發射極擊穿(最大):25V
頻率_轉換:650MHz
噪聲系數(dB典型值0a0頻率):-
增益:-
功率_最大:350mW
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:60 @ 4mA,10V
電流_集電極333Ic444(最大):50mA
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引線
供應商設備封裝:TO-92-3
包裝:帶盒(TB)

MPSH10G詳細規格

類別:RF 晶體管 (BJT)
描述:TRANS NPN VHF/UHF SS 25V TO92
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶體管類型:NPN
電壓_集電極發射極擊穿(最大):25V
頻率_轉換:650MHz
噪聲系數(dB典型值0a0頻率):-
增益:-
功率_最大:350mW
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:60 @ 4mA,10V
電流_集電極333Ic444(最大):-
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-226-3、TO-92-3 標準主體
供應商設備封裝:TO-92-3
包裝:散裝

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