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MPSW45A 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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MPSW45A詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS NPN DARL SS 1W 50V TO92
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶體管類型:NPN - 達林頓
電流_集電極333Ic444(最大):1A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):1.5V @ 2mA,1A
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:25000 @ 200mA,5V
功率_最大:1W
頻率_轉換:100MHz
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-226-3、TO-92-3 長體
供應商設備封裝:TO-92
包裝:散裝

MPSW45AG詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS NPN DARL 1W 50V TO-92
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶體管類型:NPN - 達林頓
電流_集電極333Ic444(最大):1A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):1.5V @ 2mA,1A
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:25000 @ 200mA,5V
功率_最大:1W
頻率_轉換:100MHz
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-226-3、TO-92-3 長體
供應商設備封裝:TO-92
包裝:散裝

MPSW45ARLRAG詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS NPN DARL 1W 50V TO-92
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶體管類型:NPN - 達林頓
電流_集電極333Ic444(最大):1A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):1.5V @ 2mA,1A
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:25000 @ 200mA,5V
功率_最大:1W
頻率_轉換:100MHz
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3 長體成型引線
供應商設備封裝:TO-92
包裝:剪切帶 (CT)

MPSW45ARLRAG詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS NPN DARL 1W 50V TO-92
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶體管類型:NPN - 達林頓
電流_集電極333Ic444(最大):1A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):1.5V @ 2mA,1A
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:25000 @ 200mA,5V
功率_最大:1W
頻率_轉換:100MHz
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3 長體成型引線
供應商設備封裝:TO-92
包裝:Digi-Reel®

MPSW45ARLRAG詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS NPN DARL 1W 50V TO-92
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶體管類型:NPN - 達林頓
電流_集電極333Ic444(最大):1A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):1.5V @ 2mA,1A
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:25000 @ 200mA,5V
功率_最大:1W
頻率_轉換:100MHz
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3 長體成型引線
供應商設備封裝:TO-92
包裝:帶卷 (TR)

MPSW45AZL1詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS NPN DARL BIPO 1W 50V TO-92
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶體管類型:NPN - 達林頓
電流_集電極333Ic444(最大):1A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):1.5V @ 2mA,1A
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:25000 @ 200mA,5V
功率_最大:1W
頻率_轉換:100MHz
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3 長體成型引線
供應商設備封裝:TO-92
包裝:帶盒(TB)

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