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當前位置:網站首頁 » 庫存索引25 » 型號"MRF7S21110H"的供應信息

MRF7S21110H 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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MRF7S21110HR3詳細規格

類別:RF FET
描述:MOSFET RF N-CH 33W NI-780
系列:-
制造商:Freescale Semiconductor
晶體管類型:LDMOS
頻率:2.11GHz
增益:17.3dB
電壓_測試:28V
額定電流:10µA
噪音數據:-
電流_測試:1.1A
功率_輸出:33W
電壓_額定:65V
封裝/外殼:NI-780
供應商設備封裝:NI-780
包裝:帶卷 (TR)

MRF7S21110HR5詳細規格

類別:RF FET
描述:MOSFET RF N-CH 33W NI-780
系列:-
制造商:Freescale Semiconductor
晶體管類型:LDMOS
頻率:2.11GHz
增益:17.3dB
電壓_測試:28V
額定電流:10µA
噪音數據:-
電流_測試:1.1A
功率_輸出:33W
電壓_額定:65V
封裝/外殼:NI-780
供應商設備封裝:NI-780
包裝:帶卷 (TR)

MRF7S21110HSR3詳細規格

類別:RF FET
描述:MOSFET RF N-CH 33W NI-780S
系列:-
制造商:Freescale Semiconductor
晶體管類型:LDMOS
頻率:2.11GHz
增益:17.3dB
電壓_測試:28V
額定電流:10µA
噪音數據:-
電流_測試:1.1A
功率_輸出:33W
電壓_額定:65V
封裝/外殼:NI-780S
供應商設備封裝:NI-780S
包裝:帶卷 (TR)

MRF7S21110HSR5詳細規格

類別:RF FET
描述:MOSFET RF N-CH 33W NI-780S
系列:-
制造商:Freescale Semiconductor
晶體管類型:LDMOS
頻率:2.11GHz
增益:17.3dB
電壓_測試:28V
額定電流:10µA
噪音數據:-
電流_測試:1.1A
功率_輸出:33W
電壓_額定:65V
封裝/外殼:NI-780S
供應商設備封裝:NI-780S
包裝:帶卷 (TR)

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