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MSD42 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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MSD42SWT1詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS SS GP NPN 300V SOT323
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶體管類型:NPN
電流_集電極333Ic444(最大):150mA
電壓_集電極發射極擊穿(最大):300V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):500mV @ 2mA,200mA
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:25 @ 1mA,10V
功率_最大:150mW
頻率_轉換:-
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:SC-70,SOT-323
供應商設備封裝:SC-70-3(SOT323)
包裝:帶卷 (TR)

MSD42SWT1G詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS GP SS NPN 300V SOT323
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶體管類型:NPN
電流_集電極333Ic444(最大):150mA
電壓_集電極發射極擊穿(最大):300V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):500mV @ 2mA,200mA
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:25 @ 1mA,10V
功率_最大:150mW
頻率_轉換:-
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:SC-70,SOT-323
供應商設備封裝:SC-70-3(SOT323)
包裝:帶卷 (TR)

MSD42SWT1G詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS GP SS NPN 300V SOT323
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶體管類型:NPN
電流_集電極333Ic444(最大):150mA
電壓_集電極發射極擊穿(最大):300V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):500mV @ 2mA,200mA
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:25 @ 1mA,10V
功率_最大:150mW
頻率_轉換:-
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:SC-70,SOT-323
供應商設備封裝:SC-70-3(SOT323)
包裝:Digi-Reel®

MSD42SWT1G詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS GP SS NPN 300V SOT323
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶體管類型:NPN
電流_集電極333Ic444(最大):150mA
電壓_集電極發射極擊穿(最大):300V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):500mV @ 2mA,200mA
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:25 @ 1mA,10V
功率_最大:150mW
頻率_轉換:-
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:SC-70,SOT-323
供應商設備封裝:SC-70-3(SOT323)
包裝:剪切帶 (CT)

MSD42T1G詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS NPN GP BIPO 300V SC-59
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶體管類型:NPN
電流_集電極333Ic444(最大):150mA
電壓_集電極發射極擊穿(最大):300V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):500mV @ 2mA,20mA
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:40 @ 30mA,10V
功率_最大:150mW
頻率_轉換:-
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供應商設備封裝:SC-59
包裝:帶卷 (TR)

MSD42WT1詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS NPN GP BIPO 300V SOT-323
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶體管類型:NPN
電流_集電極333Ic444(最大):150mA
電壓_集電極發射極擊穿(最大):300V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):500mV @ 2mA,20mA
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:40 @ 30mA,10V
功率_最大:150mW
頻率_轉換:-
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:SC-70,SOT-323
供應商設備封裝:SC-70-3(SOT323)
包裝:帶卷 (TR)

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