MTB30P06VT4G 全國供應商、價格、PDF資料
MTB30P06VT4G詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 60V 30A D2PAK
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:60V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:30A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:80 毫歐 @ 15A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:80nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:2190pF @ 25V
- 功率_最大:3W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:D2PAK
- 包裝:帶卷 (TR)
MTB30P06VT4G詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 60V 30A D2PAK
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:60V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:30A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:80 毫歐 @ 15A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:80nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:2190pF @ 25V
- 功率_最大:3W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:D2PAK
- 包裝:剪切帶 (CT)
MTB30P06VT4G詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 60V 30A D2PAK
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:60V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:30A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:80 毫歐 @ 15A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:80nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:2190pF @ 25V
- 功率_最大:3W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:D2PAK
- 包裝:Digi-Reel®
- 時鐘/計時 - 專用 Connor-Winfield 18-DIP 模塊 IC MOD TIMING 19.440MHZ STRAT 3
- 電容器 United Chemi-Con 徑向,Can - SMD CAP ALUM 47UF 6.3V 20% SMD
- 標記 Panduit Corp TAG MKR BRASS CIRCLE 1"
- Slide Switches TE Connectivity SWITCH SLIDE 3POS 0.41 "BLCK T/H
- 芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 1206(3216 公制) RES 150K OHM 1/4W 5% 1206 SMD
- 芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 0805(2012 公制) RES 84.5 OHM 1/8W 1% 0805 SMD
- 端子 - 端子和導線接片 3M 0603(1608 公制) CONN BUTT SPLICE NON-INS 100PC
- 芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 0201(0603 公制) RES 430K OHM 1/20W 5% 0201 SMD
- Slide Switches APEM Components, LLC 18-DIP 模塊 SWITCH MINI SLIDE
- Slide Switches TE Connectivity SWITCH SLIDE 4POS VERT BLCK MSSA
- 芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 1206(3216 公制) RES 150K OHM 1/4W 5% 1206 SMD
- 鐵氧體磁珠和芯片 Bourns Inc. 0805(2012 公制) BEAD FERRITE 220 OHM 500MA 2012
- 芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 0805(2012 公制) RES 86.6K OHM 1/8W 1% 0805 SMD
- 芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 0201(0603 公制) RES 4.3M OHM 1/20W 5% 0201 SMD
- 熱縮管 TE Connectivity - HEAT SHRINK TUBING
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