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MTD5P06VT4 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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MTD5P06VT4詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH 60V 5A DPAK
系列:-
制造商:ON Semiconductor
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:60V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:5A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:450 毫歐 @ 2.5A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:20nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:510pF @ 25V
功率_最大:40W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應商設備封裝:DPAK-3
包裝:帶卷 (TR)

MTD5P06VT4詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH 60V 5A DPAK
系列:-
制造商:ON Semiconductor
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:60V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:5A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:450 毫歐 @ 2.5A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:20nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:510pF @ 25V
功率_最大:40W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應商設備封裝:DPAK-3
包裝:Digi-Reel®

MTD5P06VT4詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH 60V 5A DPAK
系列:-
制造商:ON Semiconductor
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:60V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:5A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:450 毫歐 @ 2.5A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:20nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:510pF @ 25V
功率_最大:40W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應商設備封裝:DPAK-3
包裝:剪切帶 (CT)

MTD5P06VT4G詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH 60V 5A DPAK
系列:-
制造商:ON Semiconductor
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:60V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:5A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:450 毫歐 @ 2.5A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:20nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:510pF @ 25V
功率_最大:40W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應商設備封裝:DPAK-3
包裝:Digi-Reel®

MTD5P06VT4G詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH 60V 5A DPAK
系列:-
制造商:ON Semiconductor
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:60V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:5A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:450 毫歐 @ 2.5A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:20nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:510pF @ 25V
功率_最大:40W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應商設備封裝:DPAK-3
包裝:帶卷 (TR)

MTD5P06VT4G詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH 60V 5A DPAK
系列:-
制造商:ON Semiconductor
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:60V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:5A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:450 毫歐 @ 2.5A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:20nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:510pF @ 25V
功率_最大:40W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應商設備封裝:DPAK-3
包裝:剪切帶 (CT)

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