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MUN2111T1詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式; 描述：TRANS BRT PNP 100MA 50V SC59; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類型：PNP - 預偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：10k; 電阻器_發射極333R2444（歐）：10k; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：35 @ 5mA，10V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉換：-; 功率_最大：230mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應商設備封裝：SC-59; 包裝：剪切帶 (CT)

MUN2111T1G詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式; 描述：TRANS BRT PNP 100MA 50V SC59; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類型：PNP - 預偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：10k; 電阻器_發射極333R2444（歐）：10k; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：35 @ 5mA，10V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉換：-; 功率_最大：230mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應商設備封裝：SC-59; 包裝：剪切帶 (CT)

MUN2111T1G詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式; 描述：TRANS BRT PNP 100MA 50V SC59; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類型：PNP - 預偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：10k; 電阻器_發射極333R2444（歐）：10k; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：35 @ 5mA，10V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉換：-; 功率_最大：230mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應商設備封裝：SC-59; 包裝：Digi-Reel®

MUN2111T1G詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式; 描述：TRANS BRT PNP 100MA 50V SC59; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類型：PNP - 預偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：10k; 電阻器_發射極333R2444（歐）：10k; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：35 @ 5mA，10V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉換：-; 功率_最大：230mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應商設備封裝：SC-59; 包裝：帶卷 (TR)

MUN2111T3詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式; 描述：TRANS BRT PNP 100MA 50V SC-59; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類型：PNP - 預偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：10k; 電阻器_發射極333R2444（歐）：10k; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：35 @ 5mA，10V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉換：-; 功率_最大：230mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應商設備封裝：SC-59; 包裝：帶卷 (TR)

MUN2111T3G詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式; 描述：TRANS BRT PNP 100MA 50V SC-59; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類型：PNP - 預偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：10k; 電阻器_發射極333R2444（歐）：10k; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：35 @ 5mA，10V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉換：-; 功率_最大：230mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應商設備封裝：SC-59; 包裝：帶卷 (TR)

PH7523P
過時/停產零件編號 SofTec Microsystems SRL PROG HEAD FOR MP8011A 64-QFP
MT48H16M16LFBF-6 IT:H
存儲器 Micron Technology Inc 54-VFBGA IC SDRAM 256MBIT 167MHZ 54VFBGA
MULTI-CAL-SLAVEKIT
配件 Texas Instruments 54-VFBGA KIT BOARD MULTI-CAL-SLAVE SYST
PI2EQX3431ZHE
接口 - 信號緩沖器，中繼器，分配器 Pericom SEMICONDUCTOR OTHER
PVZ2A333C04R00
微調器 Murata Electronics North America TRIMMER 33K OHM 0.1W SMD
MULTI-CNVTR-EVM
過時/停產零件編號 Texas Instruments MULTI ADC AND DAC EVALUATION MOD
MT48H16M16LFBF-6:H
存儲器 Micron Technology Inc 54-VFBGA IC SDRAM 256MBIT 167MHZ 54VFBGA
PH75S110-15
DC DC Converters TDK-Lambda Americas Inc 模塊 DC/DC CONVERTER 75W 15V OUTPUT
PI2PCIE212ZHEX
接口 - 模擬開關，多路復用器，多路分解器 Pericom 28-VFQFN 裸露焊盤 IC PCI-E MUX/DEMUX 2X1 28TQFN
PVZ2R103C04B00
微調器 Murata Electronics North America TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 TRIMMER 10K OHM 0.1W SMD
PH75S280-12
DC DC Converters TDK-Lambda Americas Inc 模塊 DC/DC CONVERTER 100W 12VDCOUT
PI2PCIE2412ZHE
接口 - 模擬開關，多路復用器，多路分解器 Pericom 42-VFQFN 裸露焊盤 IC MUX/DEMUX 2X1 42TQFN
MT48H16M32L2F5-8 IT
存儲器 Micron Technology Inc 90-VFBGA IC SDRAM 512MBIT 125MHZ 90VFBGA
MUN2112T1G
晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式 ON Semiconductor TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 TRANS BRT PNP 100MA 50V SC-59
PVZ2R104C04B00
微調器 Murata Electronics North America TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 TRIMMER 100K OHM 0.1W SMD

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