MUN2212T1詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式
- 描述:TRANS BRT NPN 100MA 50V SC59
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶體管類型:NPN - 預偏壓
- 電流_集電極333Ic444(最大):100mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
- 電阻器_基極333R1444(歐):22k
- 電阻器_發射極333R2444(歐):22k
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:60 @ 5mA,10V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):250mV @ 300µA,10mA
- 電流_集電極截止(最大):500nA
- 頻率_轉換:-
- 功率_最大:338mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應商設備封裝:SC-59
- 包裝:剪切帶 (CT)
MUN2212T1G詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式
- 描述:TRANS BRT NPN 100MA 50V SC59
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶體管類型:NPN - 預偏壓
- 電流_集電極333Ic444(最大):100mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
- 電阻器_基極333R1444(歐):22k
- 電阻器_發射極333R2444(歐):22k
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:60 @ 5mA,10V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):250mV @ 300µA,10mA
- 電流_集電極截止(最大):500nA
- 頻率_轉換:-
- 功率_最大:338mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應商設備封裝:SC-59
- 包裝:帶卷 (TR)
- 存儲器 - 模塊 Micron Technology Inc 240-DIMM MODULE DDR2 1GB 240-DIMM
- 芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 0201(0603 公制) RES 75 OHM 1/20W 5% 0201 SMD
- 晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式 ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANS BRT NPN 100MA 50V SC-59
- 芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 1206(3216 公制) RES 360 OHM 1/4W 5% 1206 SMD
- 電容器 United Chemi-Con 徑向,Can - SMD CAP ALUM 68UF 100V 20% SMD
- 晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式 ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANS BRT NPN 100MA 50V SC-59
- 芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 0201(0603 公制) RES 75 OHM 1/20W 5% 0201 SMD
- 電容器 United Chemi-Con 徑向,Can - SMD CAP ALUM 33UF 10V 20% SMD
- 芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 1206(3216 公制) RES 39 OHM 1/4W 5% 1206 SMD
- 芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 1206(3216 公制) RES 3.9 OHM 1/4W 5% 1206 SMD
- 電容器 United Chemi-Con 徑向,Can - SMD CAP ALUM 6800UF 10V 20% SMD
- 電容器 United Chemi-Con 徑向,Can - SMD CAP ALUM 22UF 16V 20% SMD
- 芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 1206(3216 公制) RES 3.9 OHM 1/4W 5% 1206 SMD
- 芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 0201(0603 公制) RES 7.5K OHM 1/20W 5% 0201 SMD
- 晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式 ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANS BRT NPN 100MA 50V SC59
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