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MUN5111DW1T1G詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式; 描述：TRANS BRT PNP DUAL 50V SOT-363; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類型：2 個 PNP 預偏壓式（雙）; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：10k; 電阻器_發射極333R2444（歐）：10k; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：35 @ 5mA，10V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉換：-; 功率_最大：250mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：6-TSSOP，SC-88，SOT-363; 供應商設備封裝：SOT-363; 包裝：剪切帶 (CT)

MUN5111DW1T1G詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式; 描述：TRANS BRT PNP DUAL 50V SOT-363; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類型：2 個 PNP 預偏壓式（雙）; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：10k; 電阻器_發射極333R2444（歐）：10k; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：35 @ 5mA，10V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉換：-; 功率_最大：250mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：6-TSSOP，SC-88，SOT-363; 供應商設備封裝：SOT-363; 包裝：帶卷 (TR)

MUN5111DW1T1G詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式; 描述：TRANS BRT PNP DUAL 50V SOT-363; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類型：2 個 PNP 預偏壓式（雙）; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：10k; 電阻器_發射極333R2444（歐）：10k; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：35 @ 5mA，10V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉換：-; 功率_最大：250mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：6-TSSOP，SC-88，SOT-363; 供應商設備封裝：SOT-363; 包裝：Digi-Reel®

MUN5111T1G詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式; 描述：TRANS BRT PNP 100MA 50V SOT-323; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類型：PNP - 預偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：10k; 電阻器_發射極333R2444（歐）：10k; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：35 @ 5mA，10V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉換：-; 功率_最大：202mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SC-70，SOT-323; 供應商設備封裝：SC-70-3（SOT323）; 包裝：Digi-Reel®

MUN5111T1G詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式; 描述：TRANS BRT PNP 100MA 50V SOT-323; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類型：PNP - 預偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：10k; 電阻器_發射極333R2444（歐）：10k; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：35 @ 5mA，10V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉換：-; 功率_最大：202mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SC-70，SOT-323; 供應商設備封裝：SC-70-3（SOT323）; 包裝：剪切帶 (CT)

MUN5111T1G詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式; 描述：TRANS BRT PNP 100MA 50V SOT-323; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類型：PNP - 預偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：10k; 電阻器_發射極333R2444（歐）：10k; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：35 @ 5mA，10V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉換：-; 功率_最大：202mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SC-70，SOT-323; 供應商設備封裝：SC-70-3（SOT323）; 包裝：帶卷 (TR)

HLMP-EL33-QT000
LED - 分立式 Avago Technologies US Inc. 徑向 LED 5MM ALINGAP2 590NM AMB 30DEG
MUN5111DW1T1G
晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式 ON Semiconductor 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 TRANS BRT PNP DUAL 50V SOT-363
MFP-25BRD52-39K
通孔電阻器 Yageo 軸向 RES 39K OHM 1/4W 0.1% MF AXL
MT29F1G16ABBDAH4-IT:D
存儲器 Micron Technology Inc 63-VFBGA IC FLASH NAND 1GB 63VFBGA
NCV3163MNR2G
PMIC - 穩壓器 - DC DC 開關穩壓器 ON Semiconductor 18-VFDFN 裸露焊盤 IC REG BUCK BOOST INV ADJ 18DFN
MUN5111T1G
晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式 ON Semiconductor SC-70，SOT-323 TRANS BRT PNP 100MA 50V SOT-323
HLMP-EL33-SVRDD
LED - 分立式 Avago Technologies US Inc. 徑向 LED 5MM ALINGAP2 590NM AMB 30DEG
MFP-25BRD52-3K9
通孔電阻器 Yageo 軸向 RES 3.9K OHM 1/4W 0.1% MF AXL
MT29F1G16ABCHC:C
存儲器 Micron Technology Inc 63-VFBGA IC FLASH 1GBIT 63VFBGA
HLMP-EL35-TUL00
LED - 分立式 Avago Technologies US Inc. 徑向 LED ROUND 5MM 590NM AMBER 30DEG
MFP-25BRD52-750R
通孔電阻器 Yageo 軸向 RES 750 OHM 1/4W 0.1% MF AXL
NCV33035DWR2
PMIC - 電機和風扇控制器，驅動器 ON Semiconductor 24-SOIC（0.295"，7.50mm 寬） IC CTRLR DC MOTOR BRSHLSS 24SOIC
MT29F256G08CJAAAWP:A
存儲器 Micron Technology Inc 48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） IC FLASH NAND 256GB 48TSOP
MFP-25BRD52-75R
通孔電阻器 Yageo 軸向 RES 75 OHM 1/4W 0.1% MF AXL
MUN5112T1G
晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式 ON Semiconductor SC-70，SOT-323 TRANS BRT PNP 100MA 50V SOT-323

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