MUN5113DW1T1G詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式
- 描述:TRANS BRT PNP DUAL 50V SOT-363
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶體管類型:2 個 PNP 預偏壓式(雙)
- 電流_集電極333Ic444(最大):100mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
- 電阻器_基極333R1444(歐):47k
- 電阻器_發射極333R2444(歐):47k
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:80 @ 5mA,10V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):250mV @ 300µA,10mA
- 電流_集電極截止(最大):500nA
- 頻率_轉換:-
- 功率_最大:250mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 供應商設備封裝:SOT-363
- 包裝:Digi-Reel®
MUN5113DW1T1G詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式
- 描述:TRANS BRT PNP DUAL 50V SOT-363
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶體管類型:2 個 PNP 預偏壓式(雙)
- 電流_集電極333Ic444(最大):100mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
- 電阻器_基極333R1444(歐):47k
- 電阻器_發射極333R2444(歐):47k
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:80 @ 5mA,10V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):250mV @ 300µA,10mA
- 電流_集電極截止(最大):500nA
- 頻率_轉換:-
- 功率_最大:250mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 供應商設備封裝:SOT-363
- 包裝:剪切帶 (CT)
MUN5113DW1T1G詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式
- 描述:TRANS BRT PNP DUAL 50V SOT-363
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶體管類型:2 個 PNP 預偏壓式(雙)
- 電流_集電極333Ic444(最大):100mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
- 電阻器_基極333R1444(歐):47k
- 電阻器_發射極333R2444(歐):47k
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:80 @ 5mA,10V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):250mV @ 300µA,10mA
- 電流_集電極截止(最大):500nA
- 頻率_轉換:-
- 功率_最大:250mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 供應商設備封裝:SOT-363
- 包裝:帶卷 (TR)
MUN5113T1詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式
- 描述:TRANS BRT PNP 100MA 50V SOT-323
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶體管類型:PNP - 預偏壓
- 電流_集電極333Ic444(最大):100mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
- 電阻器_基極333R1444(歐):47k
- 電阻器_發射極333R2444(歐):47k
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:80 @ 5mA,10V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):250mV @ 300µA,10mA
- 電流_集電極截止(最大):500nA
- 頻率_轉換:-
- 功率_最大:202mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:SC-70,SOT-323
- 供應商設備封裝:SC-70-3(SOT323)
- 包裝:帶卷 (TR)
MUN5113T1G詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式
- 描述:TRANS BRT PNP 100MA 50V SOT-323
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶體管類型:PNP - 預偏壓
- 電流_集電極333Ic444(最大):100mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
- 電阻器_基極333R1444(歐):47k
- 電阻器_發射極333R2444(歐):47k
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:80 @ 5mA,10V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):250mV @ 300µA,10mA
- 電流_集電極截止(最大):500nA
- 頻率_轉換:-
- 功率_最大:202mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:SC-70,SOT-323
- 供應商設備封裝:SC-70-3(SOT323)
- 包裝:帶卷 (TR)
MUN5113T3G詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式
- 描述:TRANS BRT PNP 100MA 50V SOT-323
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶體管類型:PNP - 預偏壓
- 電流_集電極333Ic444(最大):100mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
- 電阻器_基極333R1444(歐):47k
- 電阻器_發射極333R2444(歐):47k
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:80 @ 5mA,10V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):250mV @ 300µA,10mA
- 電流_集電極截止(最大):500nA
- 頻率_轉換:-
- 功率_最大:202mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:SC-70,SOT-323
- 供應商設備封裝:SC-70-3(SOT323)
- 包裝:帶卷 (TR)
- LED - 分立式 Avago Technologies US Inc. 徑向 LED ROUND 5MM 590NM AMBER 30DEG
- 通孔電阻器 Yageo 軸向 RES 750 OHM 1/4W 0.1% MF AXL
- PMIC - 電機和風扇控制器,驅動器 ON Semiconductor 24-SOIC(0.295",7.50mm 寬) IC CTRLR DC MOTOR BRSHLSS 24SOIC
- 存儲器 Micron Technology Inc 48-TFSOP(0.724",18.40mm 寬) IC FLASH NAND 256GB 48TSOP
- 通孔電阻器 Yageo 軸向 RES 75 OHM 1/4W 0.1% MF AXL
- 晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式 ON Semiconductor SC-70,SOT-323 TRANS BRT PNP 100MA 50V SOT-323
- LED - 分立式 Avago Technologies US Inc. 徑向 LED ROUND 5MM 590NM AMBER 30DEG
- 存儲器 Micron Technology Inc 48-TFSOP(0.724",18.40mm 寬) IC FLASH NAND 256GB 48TSOP
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps ON Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) IC OP AMP MONOLITHIC 8SOIC
- LED - 分立式 Avago Technologies US Inc. 徑向 LED ROUND 5MM 590NM AMBER 23DEG
- 存儲器 Micron Technology Inc 48-TFSOP(0.724",18.40mm 寬) IC FLASH 2GBIT 48TSOP
- PTC 可復位保險絲 Bourns Inc. 0805(2012 公制),凹陷 FUSE PTC RESETTABLE SMD 0805
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps ON Semiconductor 14-TSSOP(0.173",4.40mm 寬) IC OPAMP QUAD R-R LV 14TSSOP
- LED - 分立式 Avago Technologies US Inc. 徑向 LED ROUND 5MM 590NM AMBER 30DEG
- 晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式 ON Semiconductor SC-70,SOT-323 TRANS BRT PNP 100MA 50V SOT-323
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