MUN5211DW1T1 全國供應商、價格、PDF資料
MUN5211DW1T1詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式
- 描述:TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT363
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶體管類型:2 個 NPN 預偏壓式(雙)
- 電流_集電極333Ic444(最大):100mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
- 電阻器_基極333R1444(歐):10k
- 電阻器_發射極333R2444(歐):10k
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:35 @ 5mA,10V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):250mV @ 300µA,10mA
- 電流_集電極截止(最大):500nA
- 頻率_轉換:-
- 功率_最大:250mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 供應商設備封裝:SOT-363
- 包裝:剪切帶 (CT)
MUN5211DW1T1G詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式
- 描述:TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT-363
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶體管類型:2 個 NPN 預偏壓式(雙)
- 電流_集電極333Ic444(最大):100mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
- 電阻器_基極333R1444(歐):10k
- 電阻器_發射極333R2444(歐):10k
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:35 @ 5mA,10V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):250mV @ 300µA,10mA
- 電流_集電極截止(最大):500nA
- 頻率_轉換:-
- 功率_最大:250mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 供應商設備封裝:SOT-363
- 包裝:剪切帶 (CT)
MUN5211DW1T1G詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式
- 描述:TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT-363
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶體管類型:2 個 NPN 預偏壓式(雙)
- 電流_集電極333Ic444(最大):100mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
- 電阻器_基極333R1444(歐):10k
- 電阻器_發射極333R2444(歐):10k
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:35 @ 5mA,10V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):250mV @ 300µA,10mA
- 電流_集電極截止(最大):500nA
- 頻率_轉換:-
- 功率_最大:250mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 供應商設備封裝:SOT-363
- 包裝:Digi-Reel®
MUN5211DW1T1G詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式
- 描述:TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT-363
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶體管類型:2 個 NPN 預偏壓式(雙)
- 電流_集電極333Ic444(最大):100mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
- 電阻器_基極333R1444(歐):10k
- 電阻器_發射極333R2444(歐):10k
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:35 @ 5mA,10V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):250mV @ 300µA,10mA
- 電流_集電極截止(最大):500nA
- 頻率_轉換:-
- 功率_最大:250mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 供應商設備封裝:SOT-363
- 包裝:帶卷 (TR)
- 圓形 - 外殼 TE Connectivity CONN HSG PLUG CABLE 26POS PIN
- 晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式 ON Semiconductor 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT-363
- 熱縮管 TE Connectivity 63-VFBGA HEAT SHRINK TUBING
- 存儲器 Micron Technology Inc 60-FBGA IC SDRAM 256MBIT 133MHZ 60FBGA
- 芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 0603(1608 公制) RES 100 OHM 1/10W 5% 0603 SMD
- 芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 1210(3225 公制) RES 154K OHM 1/4W 1% 1210 SMD
- 芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 0805(2012 公制) RES 30.0 OHM 1/8W 1% 0805 SMD
- 旋鈕 Kilo International 徑向 KNOB CLR GLOSS.50"DIA .250"SHAFT
- 圓形 - 外殼 TE Connectivity CONN HSG PLUG CABLE 26POS SKT
- 存儲器 Micron Technology Inc 60-FBGA IC SDRAM 256MBIT 125MHZ 60FBGA
- 芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 0603(1608 公制) RES 1.0K OHM 1/10W 5% 0603 SMD
- 芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 1210(3225 公制) RES 15.0 OHM 1/4W 1% 1210 SMD
- 芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 0805(2012 公制) RES 3.24K OHM 1/8W 1% 0805 SMD
- 旋鈕 Kilo International 徑向 KNOB CLR GLOSS .50"DIA 6MM SHAFT
- 連接器,互連器件 TE Connectivity CONN PLUG 26POS CABLE PIN
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