MJD31CT4詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路
- 描述:TRANSISTOR NPN 100V 3A DPAK
- 系列:-
- 制造商:STMicroelectronics
- 晶體管類型:NPN
- 電流_集電極333Ic444(最大):3A
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):100V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):1.2V @ 375mA,3A
- 電流_集電極截止(最大):50µA
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:10 @ 3A,4V
- 功率_最大:15W
- 頻率_轉換:-
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應商設備封裝:D-Pak
- 包裝:Digi-Reel®
MJD31CT4詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路
- 描述:TRANS PWR NPN 3A 100V DPAK
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶體管類型:NPN
- 電流_集電極333Ic444(最大):3A
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):100V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):1.2V @ 375mA,3A
- 電流_集電極截止(最大):50µA
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:10 @ 3A,4V
- 功率_最大:1.56W
- 頻率_轉換:3MHz
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應商設備封裝:DPAK-3
- 包裝:剪切帶 (CT)
MJD31CT4詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路
- 描述:TRANSISTOR NPN 100V 3A DPAK
- 系列:-
- 制造商:STMicroelectronics
- 晶體管類型:NPN
- 電流_集電極333Ic444(最大):3A
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):100V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):1.2V @ 375mA,3A
- 電流_集電極截止(最大):50µA
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:10 @ 3A,4V
- 功率_最大:15W
- 頻率_轉換:-
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應商設備封裝:D-Pak
- 包裝:剪切帶 (CT)
MJD31CT4詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路
- 描述:TRANSISTOR NPN 100V 3A DPAK
- 系列:-
- 制造商:STMicroelectronics
- 晶體管類型:NPN
- 電流_集電極333Ic444(最大):3A
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):100V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):1.2V @ 375mA,3A
- 電流_集電極截止(最大):50µA
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:10 @ 3A,4V
- 功率_最大:15W
- 頻率_轉換:-
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應商設備封裝:D-Pak
- 包裝:帶卷 (TR)
MJD31CT4詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路
- 描述:TRANS PWR NPN 3A 100V DPAK
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶體管類型:NPN
- 電流_集電極333Ic444(最大):3A
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):100V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):1.2V @ 375mA,3A
- 電流_集電極截止(最大):50µA
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:10 @ 3A,4V
- 功率_最大:1.56W
- 頻率_轉換:3MHz
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應商設備封裝:DPAK-3
- 包裝:Digi-Reel®
MJD31CT4-A詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路
- 描述:TRANSISTOR NPN 100V 3A DPAK
- 系列:-
- 制造商:STMicroelectronics
- 晶體管類型:NPN
- 電流_集電極333Ic444(最大):3A
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):100V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):1.2V @ 375mA,3A
- 電流_集電極截止(最大):50µA
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:10 @ 3A,4V
- 功率_最大:15W
- 頻率_轉換:-
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應商設備封裝:D-Pak
- 包裝:帶卷 (TR)
- 晶體管(BJT) - 單路 Fairchild Semiconductor TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA TRANSISTOR NPN 100V 3A IPAK
- 單二極管/齊納 Fairchild Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 DIODE ZENER 6.2V 350MW SOT-23
- PMIC - 電壓基準 Linear Technology 6-WFDFN 裸露焊盤 IC VREF SERIES PREC 4.096V 6-DFN
- PMIC - 監控器 Maxim Integrated SC-70,SOT-323 IC VOLT DETECTOR LP SC70-3
- 數據采集 - 模數轉換器 Linear Technology 16-SOIC(0.154",3.90mm 寬) IC A/D CONV 12BIT SRL 4CH 16SOIC
- 數據采集 - 數字電位器 Microchip Technology 8-VDFN 裸露焊盤 IC POT DGTL SNGL 50K SPI 8DFN
- PMIC - 監控器 Fujitsu Semiconductor America Inc 8-SOIC(0.209",5.30mm 寬) IC PWR SUPP MON DUAL WD 8SOP
- PMIC - 熱管理 Maxim Integrated 20-TSSOP(0.173",4.40mm 寬) IC TEMP MON 7CH PREC 20TSSOP
- 單二極管/齊納 Diodes Inc TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 DIODE ZENER 6.2V 350MW SOT23-3
- PMIC - 監控器 Maxim Integrated SC-70,SOT-323 IC VOLT DETECTOR LP SC70-3
- 數據采集 - 模數轉換器 Linear Technology 16-SOIC(0.154",3.90mm 寬) IC A/D CONV 12BIT SRL 4CH 16SOIC
- 數據采集 - 數字電位器 Microchip Technology 8-DIP(0.300",7.62mm) IC POT DGTL SNGL 50K SPI 8DIP
- PMIC - 監控器 Fujitsu Semiconductor America Inc 8-SOIC(0.209",5.30mm 寬) IC PWR VOLT MON WD TIMER 8SOP
- PMIC - 熱管理 Maxim Integrated 16-SSOP(0.154",3.90mm 寬) IC TEMP MONITOR 7CH 16-QSOP
- PMIC - 電壓基準 Linear Technology 3-WFDFN 裸露焊盤 IC VREF SERIES PREC 10V 3-DFN
南投县|
嘉鱼县|
安泽县|
荣昌县|
和硕县|
绥宁县|
兰西县|
浪卡子县|
康马县|
临海市|
岑巩县|
虹口区|
罗江县|
启东市|
柘城县|
耒阳市|
砚山县|
久治县|
湘西|
克拉玛依市|
河南省|
衡山县|
威海市|
西华县|
涟水县|
朝阳市|
迭部县|
棋牌|
浑源县|
恭城|
西峡县|
远安县|
嘉善县|
肃北|
临邑县|
彰武县|
西和县|
海阳市|
新乐市|
桐城市|
彩票|