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mjd31ct 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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MJD31CT4詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANSISTOR NPN 100V 3A DPAK
系列:-
制造商:STMicroelectronics
晶體管類型:NPN
電流_集電極333Ic444(最大):3A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):100V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):1.2V @ 375mA,3A
電流_集電極截止(最大):50µA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:10 @ 3A,4V
功率_最大:15W
頻率_轉換:-
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應商設備封裝:D-Pak
包裝:Digi-Reel®

MJD31CT4詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS PWR NPN 3A 100V DPAK
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶體管類型:NPN
電流_集電極333Ic444(最大):3A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):100V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):1.2V @ 375mA,3A
電流_集電極截止(最大):50µA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:10 @ 3A,4V
功率_最大:1.56W
頻率_轉換:3MHz
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應商設備封裝:DPAK-3
包裝:剪切帶 (CT)

MJD31CT4詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANSISTOR NPN 100V 3A DPAK
系列:-
制造商:STMicroelectronics
晶體管類型:NPN
電流_集電極333Ic444(最大):3A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):100V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):1.2V @ 375mA,3A
電流_集電極截止(最大):50µA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:10 @ 3A,4V
功率_最大:15W
頻率_轉換:-
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應商設備封裝:D-Pak
包裝:剪切帶 (CT)

MJD31CT4詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANSISTOR NPN 100V 3A DPAK
系列:-
制造商:STMicroelectronics
晶體管類型:NPN
電流_集電極333Ic444(最大):3A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):100V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):1.2V @ 375mA,3A
電流_集電極截止(最大):50µA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:10 @ 3A,4V
功率_最大:15W
頻率_轉換:-
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應商設備封裝:D-Pak
包裝:帶卷 (TR)

MJD31CT4詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS PWR NPN 3A 100V DPAK
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶體管類型:NPN
電流_集電極333Ic444(最大):3A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):100V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):1.2V @ 375mA,3A
電流_集電極截止(最大):50µA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:10 @ 3A,4V
功率_最大:1.56W
頻率_轉換:3MHz
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應商設備封裝:DPAK-3
包裝:Digi-Reel®

MJD31CT4-A詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANSISTOR NPN 100V 3A DPAK
系列:-
制造商:STMicroelectronics
晶體管類型:NPN
電流_集電極333Ic444(最大):3A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):100V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):1.2V @ 375mA,3A
電流_集電極截止(最大):50µA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:10 @ 3A,4V
功率_最大:15W
頻率_轉換:-
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應商設備封裝:D-Pak
包裝:帶卷 (TR)

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