NDT455N詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 30V 11.5A SOT-223
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:11.5A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:15 毫歐 @ 11.5A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:61nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1220pF @ 15V
- 功率_最大:1.1W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA
- 供應商設備封裝:SOT-223-3
- 包裝:剪切帶 (CT)
NDT455N詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 30V 11.5A SOT-223
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:11.5A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:15 毫歐 @ 11.5A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:61nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1220pF @ 15V
- 功率_最大:1.1W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA
- 供應商設備封裝:SOT-223-3
- 包裝:帶卷 (TR)
- 背板 - 硬公制,標準 FCI CONN HEADER 125POS TYPE B VERT
- DIP APEM Components, LLC 8-SSOT,SuperSOT-8 SWITCH DIP 1/2 PITCH
- 固定式 TDK Corporation 1812(4532 公制) INDUCTOR SHIELD 68UH 5% 1812
- FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-261-4,TO-261AA MOSFET P-CH 30V 5.9A SOT-223
- 通孔電阻器 Yageo 軸向 RES 165KOHM 1/4W 1% METLFLM T/R
- 存儲器 Micron Technology Inc 54-TSOP(0.400",10.16mm 寬) IC SDRAM 128MBIT 133MHZ 54TSOP
- 固定式 TDK Corporation 1812(4532 公制) INDUCTOR 2.2UH 10% 453232
- 接線座 - 隔板塊 On Shore Technology Inc CONN BARRIER STRIP 24CIRC 11MM
- 背板 - 硬公制,標準 FCI CONN HEADER 125POS TYPE B VERT
- 固定式 TDK Corporation 1812(4532 公制) INDUCTOR SHIELD 680UH 5% 1812
- 通孔電阻器 Yageo 軸向 RES 16.5 OHM 1/4W 1% METLFLM T/R
- 存儲器 Micron Technology Inc 86-TFSOP(0.400",10.16mm 寬) IC SDRAM 64MBIT 167MHZ 86TSOP
- 固定式 TDK Corporation 1812(4532 公制) INDUCTOR WW PWR 33UH 300MA 10%
- 接線座 - 隔板塊 On Shore Technology Inc CONN BARRIER STRIP 5CIRC 11MM
- DIP APEM Components, LLC 8-SSOT,SuperSOT-8 SWITCH DIP 1/2 PITCH
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