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當前位置:網站首頁 » 庫存索引128 » 型號"NE5517DR2G"的供應信息

NE5517DR2G 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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NE5517DR2G詳細規格

類別:Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps
描述:IC AMP XCONDUCTANCE DUAL 16-SOIC
系列:-
制造商:ON Semiconductor
放大器類型:跨導
電路數:2
輸出類型:推挽式
壓擺率:50 V/µs
增益帶寬積:2MHz
_3db帶寬:-
電流_輸入偏置:400nA
電壓_輸入失調:400µV
電流_電源:2.6mA
電流_輸出/通道:650µA
電壓_電源qqq單/雙333ttt444:4 V ~ 44 V,±2 V ~ 22 V
工作溫度:0°C ~ 70°C
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:16-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應商器件封裝:16-SOIC
包裝:剪切帶 (CT)

NE5517DR2G詳細規格

類別:Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps
描述:IC AMP XCONDUCTANCE DUAL 16-SOIC
系列:-
制造商:ON Semiconductor
放大器類型:跨導
電路數:2
輸出類型:推挽式
壓擺率:50 V/µs
增益帶寬積:2MHz
_3db帶寬:-
電流_輸入偏置:400nA
電壓_輸入失調:400µV
電流_電源:2.6mA
電流_輸出/通道:650µA
電壓_電源qqq單/雙333ttt444:4 V ~ 44 V,±2 V ~ 22 V
工作溫度:0°C ~ 70°C
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:16-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應商器件封裝:16-SOIC
包裝:帶卷 (TR)

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